[发明专利]一种N型电池硼扩SE结构的制作方法

权利要求书

1.一种N型电池硼扩SE结构的制作方法，其特征是，包括以下步骤：

S1：将N型硅片垂直或水平插入舟内，并放入炉管；

S2：升温至扩散温度，进行抽空及检漏；

S3：温度保持在扩散温度，恒压通入氮气、氧气，在硅片表面制作一层薄层氧化硅；

S4：温度保持在扩散温度，通入氮气、氧气和硼源对硅片表面进行沉积扩散，将硼原子均匀分布在硅片表面；

S5：升温至推结温度，并通入氮气稳压；

S6：温度保持在推结温度，并恒温推进一段时间，形成生成浅结轻掺杂区；

S7：氮气氛围降温，并出炉管；

S8：通过激光对扩散后硅片进行开槽；

S9：在硅片正面对应电极的激光开槽位置印刷硼浆，并烘干；

S10：将印刷硼浆后的硅片送入退火炉管，在氮气、氧气氛围下，进行高温恒压重掺杂推进及退火；

S11：氮气氛围下，降温出管，完成硼扩SE结构。

2.根据权利要求1所述的一种N型电池硼扩SE结构的制作方法，其特征是，步骤S1中，所述N型硅片作为衬底材料，通过清洗制绒使硅片表面产生金字塔状结构。

3.根据权利要求1所述的一种N型电池硼扩SE结构的制作方法，其特征是，步骤S2中，扩散温度为800～1100℃。

4.根据权利要求1所述的一种N型电池硼扩SE结构的制作方法，其特征是，步骤S7，出炉管后，制作的轻掺杂区扩散方阻在120ohm/squ～160ohm/squ。

5.根据权利要求1所述的一种N型电池硼扩SE结构的制作方法，其特征是，步骤S8中激光开槽时，选择功率在24W-30W之间，打标速度40000-60000mm/s，频率在200KHz-240KHz。

6.根据权利要求1所述的一种N型电池硼扩SE结构的制作方法，其特征是，步骤S10中，退火温度在900℃-1000℃，时间保持在20min-60min。

7.根据权利要求1所述的一种N型电池硼扩SE结构的制作方法，其特征是，步骤S10中，制作重掺杂区，扩散方阻控制在60ohm/squ～80ohm/squ。

8.根据权利要求1所述的一种N型电池硼扩SE结构的制作方法，其特征是，步骤S4中，硼源为BBr₃/BCl₃蒸汽。

9.根据权利要求1所述的一种N型电池硼扩SE结构的制作方法，其特征是，步骤S3中，氮气流量控制在1000sccm-3000sccm，氧气流量控制在500sccm-1000sccm，时间3min-10min。

10.根据权利要求1所述的一种N型电池硼扩SE结构的制作方法，其特征是，步骤S4中，氮气流量为1000sccm-2000sccm，氧气流量为500sccm-1000sccm，硼源蒸汽流量为500sccm-1000sccm，时间控制在10min-20min。