[发明专利]一种应用于负载电阻的电流检测电路和设备

说明书

本发明公开了一种应用于负载电阻的电流检测电路和设备，包括两组以上的电源处理电路和一个单刀开关；每组电源处理电路包括一个二极管、一个上拉电阻和一个MOS管；每组电源处理电路的二极管阴极连接单刀开关的一端，阳极连接MOS管的G极，单刀开关的另一端接地，上拉电阻一端接一个接入电源的正端，接入电源的负端接地，MOS管的S极连接接入电源的正端，D极连接一个输出电源正端，输出电源的负端接地。解决了存在多路输入电源的电子产品的电源控制电路使用具有一个控制端和多路连接端的开关，造成电路体积大和器件成本高，不利于推广应用的技术问题。

技术领域

本发明涉及电流检测电路技术领域，尤其涉及一种应用于负载电阻的电流检测电路和设备。

背景技术

串联电阻检测结构是常用的一种电流检测方式，传统的串联电阻检测结构如图7所示，图7中，AMP为运算放大器，MP1为P型MOS管，R1，R2，R3为电阻，且R1＝R2，V_SENSE为放大后的采样电压，V_IN为电源系统的负载线，R_SENSE为串联到负载线上的电阻，I_LOAD为负载电流。该串联电阻电流检测电路需要电流采样保持电路，调控精度不高，难以在精密系统中应用。

发明内容

本发明提供了一种应用于负载电阻的电流检测电路和设备，不需要电流采样保持电路，适用于高精度检测系统。

有鉴于此，本发明第一方面提供了一种应用于负载电阻的电流检测电路，包括轨到轨跨导运放电路和输出回路；

轨到轨跨导运放电路的输入端连接待检测电路，输出端连接输出回路；

轨到轨跨导运放电路包括十三个NMOS管和十二个PMOS管；

第一NMOS管、第二NMOS管和第一PMOS管构成偏置电路，第一NMOS管的D极连接第二NMOS管的S极，第二NMOS管的D极连接第一PMOS管的S极；

第二PMOS管和第三PMOS管构成第一电流镜，第四PMOS管和第五PMOS管构成第二电流镜，第三NMOS管和第四NMOS管构成第三电流镜，第十NMOS管和第十一NMOS管构成第四电流镜，第十二NMOS管和第十三NMOS管构成第五电流镜，第六PMOS管和第八PMOS管构成第六电流镜；

第九PMOS管、第十PMOS管、第十一PMOS管和第十二PMOS管构成第一共源共栅差分对管，第九PMOS管的D极和第十一PMOS管的S极连接，第十PMOS管的D极和第十二PMOS管的S极连接，第六NMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管和第九NMOS管构成第二共源共栅差分对管，第八NMOS管的S极和第六NMOS管的D极连接，第九NMOS管的S极和第七NMOS管的D极连接；

第一NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第十NMOS管、第十一NMOS管、第十二NMOS管和第十三NMOS管的S极接地，第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管和第八PMOS管的S极接直流电源；

第一NMOS管的G极与第五NMOS管的G极连接，第五NMOS管的D极与第六NMOS管、第七NMOS管的S极连接；

第二NMOS管的D极与第一PMOS管的G极连接，第二PMOS管的G极还连接第七PMOS管的G极，第七PMOS管的D极连接第九PMOS管、第十PMOS管的S极；

第八PMOS管的G极和D极连接，第八PMOS管的D极和第十三NMOS管的D极连接，第十三NMOS管的G极和第十二PMOS管的D极连接，第十二NMOS管的D极和第十二PMOS管的D极连接；

第十一NMOS管的G极和D极连接，第十一NMOS管的D极和第十一PMOS管的D极连接；