[发明专利]一种应用于负载电阻的电流检测电路和设备

权利要求书

1.一种应用于负载电阻的电流检测电路，其特征在于，包括轨到轨跨导运放电路和输出回路；

轨到轨跨导运放电路的输入端连接待检测电路，输出端连接输出回路；

轨到轨跨导运放电路包括十三个NMOS管和十二个PMOS管；

第一NMOS管、第二NMOS管和第一PMOS管构成偏置电路，第一NMOS管的D极连接第二NMOS管的S极，第二NMOS管的D极连接第一PMOS管的S极；

第二PMOS管和第三PMOS管构成第一电流镜，第四PMOS管和第五PMOS管构成第二电流镜，第三NMOS管和第四NMOS管构成第三电流镜，第十NMOS管和第十一NMOS管构成第四电流镜，第十二NMOS管和第十三NMOS管构成第五电流镜，第六PMOS管和第八PMOS管构成第六电流镜；

第九PMOS管、第十PMOS管、第十一PMOS管和第十二PMOS管构成第一共源共栅差分对管，第九PMOS管的D极和第十一PMOS管的S极连接，第十PMOS管的D极和第十二PMOS管的S极连接，第六NMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管和第九NMOS管构成第二共源共栅差分对管，第八NMOS管的S极和第六NMOS管的D极连接，第九NMOS管的S极和第七NMOS管的D极连接；

第一NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第十NMOS管、第十一NMOS管、第十二NMOS管和第十三NMOS管的S极接地，第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管和第八PMOS管的S极接直流电源；

第一NMOS管的G极与第五NMOS管的G极连接，第五NMOS管的D极与第六NMOS管、第七NMOS管的S极连接；

第二NMOS管的D极与第一PMOS管的G极连接，第二PMOS管的G极还连接第七PMOS管的G极，第七PMOS管的D极连接第九PMOS管、第十PMOS管的S极；

第八PMOS管的G极和D极连接，第八PMOS管的D极和第十三NMOS管的D极连接，第十三NMOS管的G极和第十二PMOS管的D极连接，第十二NMOS管的D极和第十二PMOS管的D极连接；

第十一NMOS管的G极和D极连接，第十一NMOS管的D极和第十一PMOS管的D极连接；

第三PMOS管的G极连接D极，第四PMOS管的G极连接D极，第三NMOS管的D极与G极连接；

第五PMOS管的D极和第六PMOS管的D极之间为电流输出端口。

2.根据权利要求1所述的应用于负载电阻的电流检测电路，其特征在于，第一电流镜的电流传输比例为2:1，第二电流镜的电流传输比例为1:2，第三电流镜的电流传输比例为1:1，第四电流镜的电流传输比例为2:1，第五电流镜的电流传输比例为1:2，第六电流镜的电流传输比例为1:1。

3.根据权利要求1所述的应用于负载电阻的电流检测电路，其特征在于，还包括第十三PMOS管、第十四PMOS管、第十五PMOS管、第十六PMOS管、第十四NMOS管、第十五NMOS管、第十六NMOS管和第十七NMOS管；

第十三PMOS管和第十四NMOS管设置在第十二PMOS管的D极和第三NMOS管的D极之间，第十三PMOS管的S极连接第十二PMOS管的D极，第十三PMOS管的D极连接第十四NMOS管的D极，第十四NMOS管的S极连接第三NMOS管的D极连接；

第十四PMOS管和第十五NMOS管设置在第五PMOS管的D极和第四NMOS管的D极之间，第十四PMOS管的S极连接第五PMOS管的D极，第十四PMOS管的D极连接第十五NMOS管的D极，第十五NMOS管的S极连接第四NMOS管的D极连接；

第十五PMOS管设置在第六PMOS管的D极和第十NMOS管的D极之间，第十五PMOS管的S极连接第六PMOS管的D极，第十五PMOS管的D极连接第十六NMOS管的D极，第十六NMOS管的S极连接第十NMOS管的D极；

第十六PMOS管设置在第八PMOS管的D极和第十三NMOS管的D极之间，第十六PMOS管的S极连接第八PMOS管的D极，第十六PMOS管的D极连接第十七NMOS管的D极，第十七NMOS管的S极连接第十三NMOS管的D极。