[发明专利]电力电子半导体器件

权利要求书

1.一种电力电子半导体器件，其特征在于，包括半导体基片，半导体基片上设置有活性区域和结终端区域；活性区域内设置有第一沟槽，活性区域与结终端区域的连接处设置第二沟槽，结终端区域内设置有第三沟槽；

第一沟槽内设置有肖特基二极管半导体层；第二沟槽内设置有电场保护环，第三沟槽的内设有导电空间电荷层，第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽采用肖特基二极管进行连接。

2.根据权利要求1所述的电力电子半导体器件，其特征在于，第一沟槽与第二沟槽的宽度相同，第三沟槽的宽度大于第一沟槽的宽度。

3.根据权利要求1所述的电力电子半导体器件，其特征在于，位于第一沟槽上侧壁的肖特基二极管半导体层漏出的高度的超过半导体基片的表面。

4.根据权利要求1所述的电力电子半导体器件，其特征在于，半导体基片包括半导体衬底基板和漂移区，漂移区设置在半导体基板的上部，与半导体基板连接为一体式结构，半导体基板上设置有活性区域和结终端区域。

5.根据权利要求1所述的电力电子半导体器件，其特征在于，半导体基片上还设置有场板，场板包括阳极金属电极场板和阴极金属电极场板；阳极金属电极场板和阴极金属电极场板分别设置在半导体基片的上下两侧。

6.根据权利要求5所述的电力电子半导体器件，其特征在于，阴极金属电极场板与半导体衬底基板固定相连，阳极金属电极场板与漂移区通过绝缘膜相连接。

7.根据权利要求6所述的电力电子半导体器件，其特征在于，位于第一沟槽上端两侧的绝缘膜与第一沟槽的边缘位置设有间隙，间隙靠近第一沟槽，位于第一沟槽内的肖特基二极管半导体层沿着第一沟槽的边缘进行延伸并且对间隙进行填补，形成肖特基结。

8.根据权利要求6所述的电力电子半导体器件，其特征在于，第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽内还设置有绝缘膜；绝缘膜为二氧化硅绝缘膜。

9.根据权利要求1所述的电力电子半导体器件，其特征在于，第二沟槽设置有多个，多个第二沟槽环绕活性区域设置，多个第二沟槽之间的间隔是固定的，按照相同的环间距进行设置。

10.根据权利要求1所述的电力电子半导体器件，其特征在于，结终端区域上设置有导电空间电荷层，导电空间电荷层包括第一导电空间电荷层和第二导电空间电荷层，第一导电空间电荷层设置在第三沟槽内，第二导电空间电荷层位于结终端区域的边缘位置，第一导电空间电荷层与第二导电空间电荷层处于相同的高度上。