[发明专利]一种应用于高屏蔽性能的镀锡铜箔加工工艺在审
| 申请号: | 202110982576.2 | 申请日: | 2021-08-25 |
| 公开(公告)号: | CN113737229A | 公开(公告)日: | 2021-12-03 |
| 发明(设计)人: | 徐静 | 申请(专利权)人: | 江西宏业铜箔有限公司 |
| 主分类号: | C25D3/30 | 分类号: | C25D3/30;C25D3/32;C25D5/34;C25D7/06 |
| 代理公司: | 北京喆翙知识产权代理有限公司 11616 | 代理人: | 汪丽丽 |
| 地址: | 343000 江西省*** | 国省代码: | 江西;36 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 应用于 屏蔽 性能 镀锡 铜箔 加工 工艺 | ||
1.一种应用于高屏蔽性能的镀锡铜箔加工工艺,其特征在于,包括以下步骤:
S1、提供用于镀锡加工工艺的铜箔;
S2、将铜箔收卷至放卷设备中,并由恒定张力的放卷轴进行流水线的传输;
S3、放卷轴的另一端提供一台收卷设备,用于回收经流水线镀锡后的铜箔;
S4、对铜箔进行化学抛光处理,降低铜箔表面的粗糙度以及pH值;
S5、通过放卷轴将铜箔传输至除油槽中对铜箔依次进行两次铜箔除油处理;
S6、对上述除油后的铜箔经放卷轴传输至水洗槽中进行水洗,水洗后传输至酸洗槽中进行酸洗处理;
S7、对上述酸洗后的铜箔进行镀锡处理,镀锡材料选用光亮硫酸盐镀锡液;
S8、在光亮硫酸盐镀锡液中投放添加剂,所述添加剂包括主光剂、辅助光亮剂,并在主光剂中添加基本结构单元为-CH=N—CH=CH-或-CH=CH-CH=N-的西佛碱类增光剂;
S9、在光亮硫酸盐镀锡液中投放稳定剂以及絮凝剂,开始电镀锡操作,电镀锡的温度为20-30℃,电流密度为1.0-1.5A/㎡,电镀锡的反应时间为5分钟;
S10、反应完成后,经水洗槽水洗1分钟,在70-80℃的温度下对铜箔表面进行烘干;
S11、由收卷设备对镀锡后的铜箔进行回收。
2.根据权利要求1所述的一种应用于高屏蔽性能的镀锡铜箔加工工艺,其特征在于,所述S4中,在对铜箔进行化学抛光处理时,利用铜在酸性或者碱性电解质溶液中的选择性自溶解作用,用于整平抛光铜箔的表面,使得铜箔表面具有一定的光亮性。
3.根据权利要求1所述的一种应用于高屏蔽性能的镀锡铜箔加工工艺,其特征在于,所述S5中,在对铜箔进行除油处理时,除油槽选用化学除油以及电解除油的两种方式,所述化学除油的除油槽在前,所述电解除油的除油槽在后,所述化学除油采用热碱液进行除油,所述电解除油通过电解除油阳极进行除油。
4.根据权利要求1所述的一种应用于高屏蔽性能的镀锡铜箔加工工艺,其特征在于,所述S6中,酸洗槽中酸洗液采用镀锡助焊剂,所述镀锡助焊剂和酸洗液的质量占比为1:3,用于对铜箔表面的氧化膜进行酸洗钝化。
5.根据权利要求1所述的一种应用于高屏蔽性能的镀锡铜箔加工工艺,其特征在于,所述S7中,光亮硫酸盐镀锡液为硫酸亚锡以及硫酸的混合溶液,所述硫酸亚锡的添加比例在40-100g/L,用于提高阴极电流密度,加快沉积速度,所述硫酸的添加比例在20-60g/L,具有降低亚锡离子的活性、防止其水解、提高镀液导电性能及阳极电流效率的作用,当硫酸量不足时,亚锡离子易氧化成四价锡。
6.根据权利要求5所述的一种应用于高屏蔽性能的镀锡铜箔加工工艺,其特征在于,所述硫酸的添加比例在20-60g/L,若硫酸的添加比例取下限20g/L时,选用通过加快镀液循环速度的办法进行补偿,或者选用通过加快阴极或阳极移动速度的方法进行补偿。
7.根据权利要求1所述的一种应用于高屏蔽性能的镀锡铜箔加工工艺,其特征在于,所述S8中,所述主光剂为芳醛、芳酮、酯类及不饱和有机酸烯的衍生物,所述增光剂与主光剂配合使用,用于拓宽光亮区,有效消除镀层白雾。
8.根据权利要求1所述的一种应用于高屏蔽性能的镀锡铜箔加工工艺,其特征在于,所述S8中,所述辅助光亮剂为脂肪醛和有机酸,选用甲醛、丙烯酸或肉桂酸,所述辅助光亮剂用于使镀层结晶细化,并使光亮电流密度区域进一步扩大。
9.根据权利要求1所述的一种应用于高屏蔽性能的镀锡铜箔加工工艺,其特征在于,所述S9中,所述稳定剂选用草酸、柠檬酸或者酒石酸,用于防止光亮硫酸盐镀锡液连续工作半个月发生浑浊的问题,所述絮凝剂分为阴离子、阳离子以及非离子三种类型,阴离子型絮凝剂包括环氧胺系共聚物、聚乙烯亚胺、聚乙烯胺类衍生物,阴离子型絮凝剂包括聚丙烯酰胺水解物、聚丙烯酰胺、磺酸钠类,非离子型絮凝剂包括聚丙烯酰胺、脲—醛聚合物。
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