[发明专利]一种西番莲无菌外植体的培育方法

权利要求书

1.一种西番莲无菌外植体的培育方法，其特征在于，包括以下步骤：

采集西番莲幼嫩茎段作为外植体，冲洗后采用饱和洗衣粉液浸泡，漂洗，得预处理外植体；

采用利福平溶液对预处理外植体进行无菌预培养，得到预培养外植体；

将所述预培养外植体剪切成茎段后进行消毒处理，得到无菌茎段；

将所述无菌茎段在MS基本培养基中进行培养，获得无菌西番莲外植体。

2.如权利要求1所述的一种西番莲无菌外植体的培育方法，其特征在于，所述外植体的长度为12～15cm，保留有3～4个腋芽、顶芽及顶芽上端的1～2片叶。

3.如权利要求1或2所述的一种西番莲无菌外植体的培育方法，其特征在于，所述外植体浸泡的时间为10～30min。

4.如权利要求3所述的一种西番莲无菌外植体的培育方法，其特征在于，所述漂洗的次数为2～4次。

5.如权利要求1或4所述的一种西番莲无菌外植体的培育方法，其特征在于，所述利福平溶液的浓度为80～120mg/L，外植体浸入利福平溶液中2～3cm。

6.如权利要求5所述的一种西番莲无菌外植体的培育方法，其特征在于，所述预培养温度为22～30℃，光照时间为8～12h/d，时间为2～4d。

7.如权利要求1或6所述的一种西番莲无菌外植体的培育方法，其特征在于，所述无菌茎段长为0.8～2.0cm，带有1～2个腋芽。

8.如权利要求7所述的一种西番莲无菌外植体的培育方法，其特征在于，无菌茎段消毒处理的具体方式为：采用体积分数为75～90％的酒精消毒处理10～60s，再采用质量浓度0.05～0.15％的升汞表面消毒10～12min，冲洗3～5次。

9.如权利要求1所述西番莲无菌外植体的培育方法，其特征在于，在MS基本培养基中培养8～12d，培养温度为25～28℃，光照强度为1000～2000lux，光照时间为8～12h/d。

10.如权利要求9所述西番莲无菌外植体的培育方法，其特征在于，每接种一个茎段需要25～30mlMS基本培养基。