[发明专利]一种晶片的清洗方法

说明书

本发明提供了一种晶片清洗方法，包括：将晶片依次进行DIW清洗、SPM清洗、HQDR清洗、QDR1清洗、QDR2清洗、高浓度SC1清洗、QDR3清洗、DHF清洗、QDR4清洗、低等浓度SC1清洗、QDR5清洗、SC2清洗和QDR6清洗。本发明提供的清洗方法对具体污物针对性强，从脏污去除原理上设计了清洗流程，清洗流程简短，无操作危险。

技术领域

本发明属于晶片技术领域，尤其涉及一种晶片的清洗方法。

背景技术

初步加工的晶片表面有较多脏污颗粒，要想实现晶片最大、最有效的利用率，需要将晶片表面的颗粒去除掉。目前晶片的主流清洗工艺是采用湿法清洗，优良的湿法清洗工艺需有效去除晶片表面的各种沾污，同时不对晶片表面产生损伤或严重刻蚀，也不会粘黏各种残留，生产使用简单、安全。

晶片表面沾污主要为无机物、有机化合物、合金化的污物，晶片表面浅表层还有部分与晶片融为一体的脏污，这部分是晶片表面氧化后嵌入氧化层的脏污。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种晶片的清洗方法，本发明提供的晶片清洗方法清洗晶片后颗粒残留量少，表面、浅表层洁净度高。

本发明提供了一种晶片清洗方法，包括：

将晶片依次进行DIW清洗、SPM清洗、HQDR清洗、QDR1清洗、QDR2清洗、高浓度SC1清洗、QDR3清洗、DHF清洗、QDR4清洗、低等浓度SC1清洗、QDR5清洗、SC2清洗和QDR6清洗；

所述SPM清洗的试剂包括：H₂SO₄和H₂O₂；

所述高浓度SC1清洗和低浓度SC1清洗的试剂包括：NH₄OH、H₂O₂和H₂O；

所述DHF清洗的试剂包括：HF和H₂O；

所述SC2清洗的试剂包括：HCl、H₂O₂和H₂O。

优选的，所述DIW清洗的时间为30～60min；流量为0.5～1L/min。

优选的，所述SPM清洗的温度为90～140℃，时间为8～15min。

优选的，所述高浓度SC1清洗的温度为50～75℃，时间为5～15min。

优选的，所述DHF清洗的时间为15s～10min；温度为室温。

优选的，所述低浓度SC1清洗的温度为50～75℃，时间为5～15min。

优选的，所述SC2清洗的温度为70～80℃，时间为5～15min。

优选的，所述QDR6清洗完成后还包括：

将清洗后的晶片干燥；

所述干燥的温度为30～50℃。

优选的，所述SPM清洗的试剂中H₂SO₄和H₂O₂的体积比为(2～5):1。

优选的，所述高浓度SC1清洗的试剂中NH₄OH、H₂O₂和H₂O的体积比为1:(1～2):(5～6)；

所述低浓度SC1清洗的试剂中NH₄OH、H₂O₂和H₂O的体积比为(0.1～0.5)：1：5。