[发明专利]一种晶片的清洗方法在审
| 申请号： | 202110976594.X | 申请日： | 2021-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN113675073A | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 李秀丽;邹宇;张平;郭钰 | 申请（专利权）人： | 江苏天科合达半导体有限公司;北京天科合达半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B08B3/02;B08B3/08;B08B3/12 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 纪志超 |
| 地址： | 221000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶片 清洗 方法 | ||
1.一种晶片清洗方法，包括：
将晶片依次进行DIW清洗、SPM清洗、HQDR清洗、QDR1清洗、QDR2清洗、高浓度SC1清洗、QDR3清洗、DHF清洗、QDR4清洗、低等浓度SC1清洗、QDR5清洗、SC2清洗和QDR6清洗；
所述SPM清洗的试剂包括：H2SO4和H2O2；
所述高浓度SC1清洗和低浓度SC1清洗的试剂包括：NH4OH、H2O2和H2O；
所述DHF清洗的试剂包括：HF和H2O；
所述SC2清洗的试剂包括：HCl、H2O2和H2O。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述DIW清洗的时间为30～60min；流量为0.5～1L/min。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述SPM清洗的温度为90～140℃，时间为8～15min。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述高浓度SC1清洗的温度为50～75℃，时间为5～15min。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述DHF清洗的时间为15s～10min；温度为室温。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述低浓度SC1清洗的温度为50～75℃，时间为5～15min。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述SC2清洗的温度为70～80℃，时间为5～15min。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述QDR6清洗完成后还包括：
将清洗后的晶片干燥；
所述干燥的温度为30～50℃。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述SPM清洗的试剂中H2SO4和H2O2的体积比为(2～5):1。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述高浓度SC1清洗的试剂中NH4OH、H2O2和H2O的体积比为1:(1～2):(5～6)；
所述低浓度SC1清洗的试剂中NH4OH、H2O2和H2O的体积比为(0.1～0.5)：1：5。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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