[发明专利]阵列基板及其制备方法

说明书

本发明提供了一种阵列基板及其制备方法。所述阵列基板包括遮光层、有源层、栅极绝缘层、栅极层、第一电极层以及第二电极层。所述栅极绝缘层包括主体部、第一延伸部和第二延伸部。所述主体部对应于所述栅极层。所述第一延伸部和所述第二延伸部分别设于所述主体部的两侧。所述遮光层在所述栅极绝缘层上的正投影的一侧位于所述第一延伸部上。

技术领域

本发明涉及显示设备领域，特别是一种阵列基板及其制备方法。

背景技术

顶栅(Top-Gate)结构的Oxide TFT(金属氧化物薄膜晶体管)技术中，为了降低沟道以外区域的电阻，往往采用自对准(self-aligned)刻蚀工艺，即通过1道Photo制程同时定义栅极图案以及刻蚀栅极绝缘层以及非沟道区域的导体化，这样可以有效避免对位偏差导致的沟道两侧高阻区域的形成。

但是，沟道两侧导体化效果的扩散会使得沟道两端存在低阻区域，从而减少了有效沟道长度，导致有效沟道的实际长度比预期长度小。并且，对于设有金属遮光层的TFT器件中，有效沟道长度往往会更短。而在缩小TFT器件的尺寸时，往往需要制作短沟道器件，有效沟道实际长度的减小则会严重影响短沟道器件的制作，从而影响小尺寸TFT器件的制备。

发明内容

发明的目的是提供一种阵列基板及其制备方法，以解决现有技术中由于导体化是等离子体的扩散而导致的有效沟道长度变短的问题。

为实现上述目的，本发明提供一种阵列基板，所述阵列基板包括遮光层、有源层、栅极绝缘层、栅极层、第一电极层以及第二电极层。所述有源层绝缘设置于所述遮光层上。所述栅极绝缘层设于有源层远离所述缓冲层的一表面上。所述栅极层设于所述栅极绝缘层远离所述有源层的一表面上。所述第一电极层和所述第二电极层绝缘设置于所述栅极层上，并与所述有源层电连接。

其中，所述栅极绝缘层包括主体部、第一延伸部和第二延伸部。所述主体部对应于所述栅极层。所述第一延伸部和所述第二延伸部分别设于所述主体部的两侧。

所述遮光层在所述栅极绝缘层上的正投影的一侧位于所述第一延伸部上。

进一步地，所述遮光层靠近所述第一电极层的一侧与所述栅极层靠近所述第一电极层的一侧之间的水平距离小于1.5微米。

进一步地，所述第一电极层为漏极层，所述第二电极层为源极层。

进一步地，所述遮光层靠近所述第一延伸部的一侧面与所述遮光层的底面之间具有一坡度角，所述坡度角为锐角。

进一步地，所述有源层包括沟道部、第一导体部、第二导体部、第一扩散部以及第二扩散部。所述沟道部与所述栅极层对应设置。所述第一导体部设于所述沟道部靠近所述第一电极层的一侧，并与所述第一电极部电连接。所述第二导体部设于所述沟道部靠近所述第二电极层的一侧，并与所述第二导体部电连接。所述第一扩散部设于所述第一导体部和所述沟道部之间，并且所述第一延伸部覆盖在所述第一扩散部上。所述第二扩散部设于所述第二导体部和所述沟道部之间，并且所述第二延伸部覆盖在所述第二扩散部上。所述第二扩散部的周长小于所述第一扩散部的周长。

本发明中还提供一种阵列基板的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：

在一基板上形成遮光层；在所述遮光层上形成有源层；在所述有源层上形成栅极绝缘层，所述栅极绝缘层包括主体部以及设于所述主体部两侧的第一延伸部和第二延伸部；在所述栅极绝缘层上形成栅极层；导体化所述有源层；在所述栅极层上形成第一电极层和第二电极层。其中，所述遮光层在所述栅极绝缘层上的正投影的一侧位于所述第一延伸部上。

进一步地，所述遮光层靠近所述第一电极层的一端与所述栅极层靠近所述第一电极层的一端之间的水平距离小于1.5微米。

进一步地，所述遮光层靠近所述第一延伸部的一侧面与所述遮光层的底面之间具有一坡度角，所述坡度角为锐角。