[发明专利]阵列基板及其制备方法

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

遮光层；

有源层，绝缘设置于所述遮光层上；

栅极绝缘层，设于有源层远离所述缓冲层的一表面上；

栅极层，设于所述栅极绝缘层远离所述有源层的一表面上；

第一电极层和第二电极层，均绝缘设置于所述栅极层上，并与所述有源层电连接；其中

所述栅极绝缘层包括：

主体部，对应于所述栅极层；

第一延伸部和第二延伸部，分别设于所述主体部的两侧；

所述遮光层在所述栅极绝缘层上的正投影的一侧位于所述第一延伸部上。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述遮光层靠近所述第一电极层的一侧与所述栅极层靠近所述第一电极层的一侧之间的水平距离小于1.5微米。

3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极层为漏极层，所述第二电极层为源极层。

4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述遮光层靠近所述第一延伸部的一侧面与所述遮光层的底面之间具有一坡度角，所述坡度角为锐角。

5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层包括：

沟道部，与所述栅极层对应设置；

第一导体部，设于所述沟道部靠近所述第一电极层的一侧，并与所述第一电极部电连接；

第二导体部，设于所述沟道部靠近所述第二电极层的一侧，并与所述第二导体部电连接；

第一扩散部，设于所述第一导体部和所述沟道部之间，并且所述第一延伸部覆盖在所述第一扩散部上；

第二扩散部，设于所述第二导体部和所述沟道部之间，并且所述第二延伸部覆盖在所述第二扩散部上；

所述第二扩散部的周长小于所述第一扩散部的周长。

6.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

在一基板上形成遮光层；

在所述遮光层上形成有源层；

在所述有源层上形成栅极绝缘层，所述栅极绝缘层包括主体部以及设于所述主体部两侧的第一延伸部和第二延伸部；

在所述栅极绝缘层上形成栅极层；

导体化所述有源层；

在所述栅极层上形成第一电极层和第二电极层；

其中，所述遮光层在所述栅极绝缘层上的正投影的一侧位于所述第一延伸部上。

7.如权利要求6所述的阵列基板的制备方法，所述遮光层靠近所述第一电极层的一端与所述栅极层靠近所述第一电极层的一端之间的水平距离小于1.5微米。

8.如权利要求6所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述遮光层靠近所述第一延伸部的一侧面与所述遮光层的底面之间具有一坡度角，所述坡度角为锐角。

9.如权利要求6所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，导体化所述有源层步骤中包括依稀步骤：对所述有源层进行等离子轰击处理，形成导体化的第一导体部和第二导体部、位于所述第一导体部和第二导体部之间的沟道部、位于所述第一导体部与所述沟道部之间的第一扩散部以及位于所述第二导体部与所述沟道部之间的第二扩散部。

10.如权利要求9所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述第二扩散部的周长小于所述第一扩散部的周长。