[发明专利]一种振荡器电路在审
申请号: | 202110973086.6 | 申请日: | 2021-08-24 |
公开(公告)号: | CN113659963A | 公开(公告)日: | 2021-11-16 |
发明(设计)人: | 郝报田 | 申请(专利权)人: | 郝报田 |
主分类号: | H03K3/011 | 分类号: | H03K3/011;H03K3/012;H03K3/017;H03K3/03 |
代理公司: | 深圳市洪荒之力专利代理有限公司 44541 | 代理人: | 庄露露 |
地址: | 401120 重庆市渝北*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 振荡器 电路 | ||
本发明公开了一种振荡器电路,涉及集成电路设计领域,该振荡器电路包括:漏电补偿模块,用于与参考电流产生模块耦合,对参考电流产生模块中成比例的漏电流进行补偿;参考电流产生模块,用于产生和温度成反比的电流,加强高温下电路精度;与现有技术相比,本发明的有益效果是:本发明提出自偏置技术,避免了额外电流源输入的需求,不仅降低了功耗,还节省了面积与成本;把器件漏电流注入到参考电流产生电路中,通过调节延时单元偏置电流,使延时单元延时与漏电流相关,进而解决了振荡器时钟频率在高温偏移的问题;把两级差分电路组成的延时单元耦合到参考电流产生电路中,不仅节约了功耗,还改善了输出时钟占空比。
技术领域
本发明涉及集成电路设计领域,具体是一种振荡器电路。
背景技术
振荡电流是一种大小和方向都随周期发生变化的电流,能产生振荡电流的电路就叫做振荡电路。振荡器电路作为芯片时钟源,为芯片部分或者全局数字、模拟电路提供参考时钟,振荡器本身输出时钟占空比、频率精度以及自身功耗是重要指标。
目前振荡器电路技术具有以下缺点:(1):受器件漏电流影响,高温下频率偏移较多,精度不理想;(2):需要偏置电流或者额外独立的偏置电流产生电路,很难做到低功耗;(3):采用单端输入、输出环形振荡器,输出时钟占空比不理想,需要改进。
发明内容
本发明的目的在于提供一种振荡器电路,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:
一种振荡器电路,包括:
漏电补偿模块,用于与参考电流产生模块耦合,对参考电流产生模块中成比例的漏电流进行补偿;
参考电流产生模块,用于产生和温度成反比的电流,加强高温下电路精度;
第一延时模块,用于与参考电流产生模块耦合,形成电流复用,差分输入电压信号,延时后差分输出;
第二延时模块,用于与参考电流产生模块耦合,形成电流复用,差分输入电压信号,延时后差分输出;
第一延时模块和第二延时模块共同构成延时单元,延时单元至少含有两个延时模块,共同构成环形振荡器;
漏电补偿模块连接参考电流产生模块,参考电流产生模块连接延时单元。
作为本发明再进一步的方案:漏电补偿模块包括MOS管PM5B、MOS管PM5A、MOS管PM6B、MOS管PM6A、MOS管PM1C、MOS管NM4B、MOS管NM4A,MOS管PM5B的S极连接MOS管PM5A的S极、MOS管PM1C的S极、MOS管PM1C的G极、电压VDD,MOS管PM5B的G极连接MOS管PM5B的D极、MOS管PM6B的S极,MOS管PM5A的D极连接MOS管PM6A的S极,MOS管PM6A的G极连接MOS管PM6B的G极、MOS管PM6B的D极、MOS管NM4B的D极,MOS管NM4B的G极连接MOS管NM4A的G极、MOS管NM4A的D极、MOS管PM1C的D极。
作为本发明再进一步的方案:参考电流产生模块包括MOS管PM1A、MOS管PM1B、MOS管NM1A、MOS管PM0、电阻R0、MOS管NM1B,MOS管PM1A的S极连接MOS管PM1B的S极、电压VDD,MOS管PM1A的G极连接MOS管PM1B的G极、MOS管PM1C的G极、MOS管PM1B的D极、MOS管NM1B的D极,MOS管PM1A的D极连接MOS管NM1A的D极、MOS管NM1A的G极、MOS管PM6A的D极、MOS管NM1B的G极,MOS管NM1A的S极连接MOS管PMD的S极,MOS管NM1B的S极连接电阻R0,电阻R0的另一端接地。
作为本发明再进一步的方案:第一延时模块包括放大器U1、MOS管NM2A、MOS管NM2B,放大器U1的第四端连接MOS管NM2A的D极,放大器U1的第三端连接MOS管NM2B的D极,MOS管NM2A的S极连接MOS管NM2B的S极,MOS管NM2A的G极连接MOS管NM2B的G极。
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