[发明专利]一种振荡器电路

权利要求书

1.一种振荡器电路，其特征在于：

该振荡器电路包括：

漏电补偿模块，用于与参考电流产生模块耦合，对参考电流产生模块中成比例的漏电流进行补偿；

参考电流产生模块，用于产生和温度成反比的电流，加强高温下电路精度；

第一延时模块，用于与参考电流产生模块耦合，形成电流复用，差分输入电压信号，延时后差分输出；

第二延时模块，用于与参考电流产生模块耦合，形成电流复用，差分输入电压信号，延时后差分输出；

第一延时模块和第二延时模块共同构成延时单元，延时单元至少含有两个延时模块，共同构成环形振荡器；

漏电补偿模块连接参考电流产生模块，参考电流产生模块连接延时单元。

2.根据权利要求1所述的振荡器电路，其特征在于，漏电补偿模块包括MOS管PM5B、MOS管PM5A、MOS管PM6B、MOS管PM6A、MOS管PM1C、MOS管NM4B、MOS管NM4A，MOS管PM5B的S极连接MOS管PM5A的S极、MOS管PM1C的S极、MOS管PM1C的G极、电压VDD，MOS管PM5B的G极连接MOS管PM5B的D极、MOS管PM6B的S极，MOS管PM5A的D极连接MOS管PM6A的S极，MOS管PM6A的G极连接MOS管PM6B的G极、MOS管PM6B的D极、MOS管NM4B的D极，MOS管NM4B的G极连接MOS管NM4A的G极、MOS管NM4A的D极、MOS管PM1C的D极。

3.根据权利要求1所述的振荡器电路，其特征在于，参考电流产生模块包括MOS管PM1A、MOS管PM1B、MOS管NM1A、MOS管PM0、电阻R0、MOS管NM1B，MOS管PM1A的S极连接MOS管PM1B的S极、电压VDD，MOS管PM1A的G极连接MOS管PM1B的G极、MOS管PM1C的G极、MOS管PM1B的D极、MOS管NM1B的D极，MOS管PM1A的D极连接MOS管NM1A的D极、MOS管NM1A的G极、MOS管PM6A的D极、MOS管NM1B的G极，MOS管NM1A的S极连接MOS管PMD的S极，MOS管NM1B的S极连接电阻R0，电阻R0的另一端接地。

4.根据权利要求1所述的振荡器电路，其特征在于，第一延时模块包括放大器U1、MOS管NM2A、MOS管NM2B，放大器U1的第四端连接MOS管NM2A的D极，放大器U1的第三端连接MOS管NM2B的D极，MOS管NM2A的S极连接MOS管NM2B的S极，MOS管NM2A的G极连接MOS管NM2B的G极。

5.根据权利要求1所述的振荡器电路，其特征在于，第二延时模块包括放大器U2、MOS管NM3A、MOS管NM3B，放大器U2的第四端连接MOS管NM3A的D极、放大器U1的第一端，放大器U2的第三端连接MOS管NM3B的D极、放大器U1的第二端，MOS管NM3A的S极连接MOS管NM3B的S极，MOS管NM3A的G极连接MOS管NM3B的G极，放大器U2的第一端连接放大器U1的第三端，放大器U2的第二端连接放大器U1的第四端。

6.根据权利要求4所述的振荡器电路，其特征在于，放大器U1内部包括MOS管PM3A、MOS管PM3B、MOS管PM3D、MOS管PM4C、MOS管PM4B、MOS管PM4A、MOS管PM3C、MOS管PM4D，MOS管PM3A的S极连接MOS管PM3B的S极、MOS管PM3D的S极、MOS管PM4C的S极、MOS管PM4B的S极、MOS管PM4A的S极、电压VDD，MOS管PM3A的D极连接MOS管PM3B的G极、MOS管PM3C的D极、MOS管PM3D的D极、MOS管PM4C的G极，MOS管PM3B的D极连接MOS管PM3C的S极，MOS管PM3D的G极连接MOS管PM4C的D极、MOS管PM4D的D极、MOS管PM4D的G极、MOS管PM4B的G极、MOS管PM4A的D极，MOS管PM4D的S极连接MOS管PM4B的D极。