[发明专利]显示基板及其制备方法、显示装置在审
申请号: | 202110967328.0 | 申请日: | 2021-08-23 |
公开(公告)号: | CN113690256A | 公开(公告)日: | 2021-11-23 |
发明(设计)人: | 王利忠;胡合合;雷利平;姚念琦;薛大鹏;董水浪 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 李迎亚;姜春咸 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 及其 制备 方法 显示装置 | ||
本公开提供一种显示基板及其制备方法、显示装置,属于显示技术领域。本公开提供的显示基板,包括衬底基板,设置在衬底基板上的多条栅线和多条数据线;栅线和数据线交叉区域内包括像素单元;其中像素单元至少包括开关器件和像素电极;在像素电极所在层和数据线所在层之间设置有第一层间介质层;开关器件包括半导体有源层,半导体有源层在衬底基板上的正投影,位于数据线在衬底基板上的正投影内;半导体有源层划分为第一连接区、第二连接区,以及位于第一连接区和第二连接区之间的沟道区;对于任一像素单元,其中的半导体有源层的第一连接区与限定出该像素单元的所述数据线电连接,半导体有源层的第二连接区与限定出该像素单元中的像素电极电连接。
技术领域
本公开属于显示技术领域,具体涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
随着人们对于显示画面要求的提高,以虚拟现实(Virtual Reality,VR)设备为代表的高分辨率(pixels per inch,PPI)显示装置受到人们的日益关注。为使高PPI显示设备达到预设的显示效果,对显示设备中的像素单元提出了更高的要求。现有的显示设备中,像素单元的开口率是影响显示设备的设计以及亮度的重要因素。
发明人发现现有技术中存在:随着像素单元中的薄膜晶体管沟道宽度的增加,像素单元的开口率不断减小的问题。故提出一种新型的薄膜晶体管是亟需解决的问题。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提供一种显示基板及其制备方法、显示装置。
第一方面本公开提供一种显示基板,其中,包括衬底基板,设置在所述衬底基板上的多条栅线和多条数据线;所述栅线和所述数据线交叉设置限定出多个像素单元;其中,所述像素单元至少包括位于所述衬底基板上的开关器件和像素电极;在所述像素电极所在层和所述数据线所在层之间设置有第一层间介质层;所述开关器件包括半导体有源层,所述半导体有源层在所述衬底基板上的正投影,位于所述数据线在所述衬底基板上的正投影内;所述半导体有源层划分为第一连接区、第二连接区,以及位于所述第一连接区和所述第二连接区之间的沟道区;对于任一所述像素单元,其中的所述半导体有源层的第一连接区与限定出该像素单元的所述数据线电连接,所述半导体有源层的第二连接区与限定出该像素单元中的像素电极电连接。
其中,所述第一层间介质层具有多个开槽,一个所述半导体有源层通过一个开槽将所述数据线与所述像素电极电连接;所述栅线和所述半导体有源层的沟道区在所述开槽侧壁上的正投影存在交叠;显示基板,还包括位于栅线和半导体有源层所在层之间的第二层间介质层;栅线和半导体有源层的沟道区在开槽侧壁上的正投影存在交叠。
其中,所述栅线在所述衬底基板上的正投影覆盖所述半导体有源层的第一连接区和第二连接区。
其中,所述像素单元中的所述半导体有源层和所述像素电极为一体成型结构。
其中,所述数据线、所述第一层间绝缘层、所述像素电极沿背离所述衬底基板方向依次设置,所述半导体有源层的第一连接区位于所述数据线背离衬底基板的一侧,所述半导体有源层的第二连接区位于所述像素电极背离所述衬底基板的一侧。
其中,在所述栅线背离所述衬底基板的一侧依次设置有第三层间介质层和各所述像素单元中的公共电极。
第二方面,本公开提供一种显示基板的制备方法,其中,提供一衬底基板,在所述衬底基板上形成多条栅线和多条数据线,以及位于所述栅线和所述数据线交叉处的多个像素单元;形成所述多个像素单元中的每个像素单元的步骤包括在所述衬底基板上形成开关器件和像素电极;在所述像素电极所在层和所述数据线所在层之间形成第一层间介质层;
形成所述开关器件的步骤包括:在所述数据线背离所述衬底基板的一侧通过构图工艺形成包括所述半导体有源层的图形;其中,所述半导体有源层在所述衬底基板上的正投影,位于所述数据线在所述衬底基板上的正投影内;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110967328.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种基于温度控释的多气味发生装置
- 下一篇:一种波峰焊注氮用氮气汽化装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的