[发明专利]显示基板及其制备方法、显示装置在审
申请号: | 202110967328.0 | 申请日: | 2021-08-23 |
公开(公告)号: | CN113690256A | 公开(公告)日: | 2021-11-23 |
发明(设计)人: | 王利忠;胡合合;雷利平;姚念琦;薛大鹏;董水浪 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 李迎亚;姜春咸 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种显示基板,其特征在于,包括衬底基板,设置在所述衬底基板上的多条栅线和多条数据线;所述栅线和所述数据线交叉设置限定出多个像素单元;其中,所述像素单元至少包括位于所述衬底基板上的开关器件和像素电极;在所述像素电极所在层和所述数据线所在层之间设置有第一层间介质层;
所述开关器件包括半导体有源层,所述半导体有源层在所述衬底基板上的正投影,位于所述数据线在所述衬底基板上的正投影内;
所述半导体有源层划分为第一连接区、第二连接区,以及位于所述第一连接区和所述第二连接区之间的沟道区;
对于任一所述像素单元,其中的所述半导体有源层的第一连接区与限定出该像素单元的所述数据线电连接,所述半导体有源层的第二连接区与限定出该像素单元中的像素电极电连接。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第一层间介质层具有多个开槽,一个所述半导体有源层通过一个开槽将所述数据线与所述像素电极电连接;所述栅线和所述半导体有源层的沟道区在所述开槽侧壁上的正投影存在交叠;显示基板,还包括位于栅线和半导体有源层所在层之间的第二层间介质层;栅线和半导体有源层的沟道区在开槽侧壁上的正投影存在交叠。
3.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,所述栅线在所述衬底基板上的正投影覆盖所述半导体有源层的第一连接区和第二连接区。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的显示基板,其特征在于,所述像素单元中的所述半导体有源层和所述像素电极为一体成型结构。
5.根据权利要求1-3中任一项所述的显示基板,其特征在于,所述数据线、所述第一层间绝缘层、所述像素电极沿背离所述衬底基板方向依次设置,所述半导体有源层的第一连接区位于所述数据线背离衬底基板的一侧,所述半导体有源层的第二连接区位于所述像素电极背离所述衬底基板的一侧。
6.根据权利要求1-3中任一项所述的显示基板,其特征在于,在所述栅线背离所述衬底基板的一侧依次设置有第三层间介质层和各所述像素单元中的公共电极。
7.一种显示基板的制备方法,其特征在于,提供一衬底基板,在所述衬底基板上形成多条栅线和多条数据线,以及位于所述栅线和所述数据线交叉处的多个像素单元;形成所述多个像素单元中的每个像素单元的步骤包括在所述衬底基板上形成开关器件和像素电极;在所述像素电极所在层和所述数据线所在层之间形成第一层间介质层;
形成所述开关器件的步骤包括:在所述数据线背离所述衬底基板的一侧通过构图工艺形成包括所述半导体有源层的图形;其中,所述半导体有源层在所述衬底基板上的正投影,位于所述数据线在所述衬底基板上的正投影内;
形成所述半导体有源层的步骤包括形成第一连接区、第二连接区和形成位于所述第一连接区和所述第二连接区之间的沟道区;其中,所述半导体有源层的第一连接区与限定出该所述像素单元的所述数据线的图形电连接,所述半导体有源层的第二连接区与限定出该所述像素单元中的所述像素电极的图形电连接。
8.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,在所述第一层间介质层上形成多个开槽;其中,一个所述开槽将一个所述半导体有源层与所述数据线和所述像素电极电连接;所述栅线和所述半导体有源层的沟道区在所述开槽侧壁上的正投影存在交叠;在所述栅线和所述半导体有源层所在层之间的形成第二层间介质层。
9.根据权利要求8所述的制备方法,其特征在于,形成所述半导体有源层的第一连接区和所述第二连接区的步骤包括:所述有源半导体层与所述像素电极连接的部分为第一连接区,所述有源半导体层与所述数据线连接的部分为第二连接区;其中,所述栅线在所述衬底基板上的正投影覆盖所述第一连接区和所述第二连接区在所述衬底基板上的正投影;
所述半导体有源层和所述像素电极通过一次构图工艺形成,且二者为一体结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的