[发明专利]一种半导体器件及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底包括器件区，所述器件区包括存储阵列区和与所述存储阵列区相邻的外围区；

位于所述衬底上的堆叠结构，所述堆叠结构包括位于所述存储阵列区的第一堆叠结构和位于所述外围区的第二堆叠结构，所述第一堆叠结构包括交替堆叠的层间绝缘层和层间栅极层，所述第二堆叠结构包括交替堆叠的所述层间绝缘层和层间介质层。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述衬底还包括切割道区，所述切割道区包括多个第一切割道区和多个第二切割道区，多个所述第一切割道区和多个所述第二切割道区交叉限定出多个所述器件区；所述堆叠结构还包括位于所述第一切割道区和所述第二切割道区的第三堆叠结构，所述第三堆叠结构包括交替堆叠的所述层间绝缘层和所述层间介质层。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述衬底上对应于所述第一切割道区和/或所述第二切割道区形成有对准标记。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述衬底上对应于所述外围区形成有对准标记。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括垂直贯穿所述堆叠结构的分隔结构，所述分隔结构围绕所述存储阵列区，且分隔所述存储阵列区和所述外围区。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括垂直贯穿所述第二堆叠结构的多个孔状结构，所述多个孔状结构位于所述分隔结构远离所述存储阵列区的一侧、且环绕所述分隔结构间隔设置，每个所述孔状结构从径向方向由外向内包括第一介质层和外围导电柱。

7.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述分隔结构包括分隔沟槽和填充在所述分隔沟槽中的第二介质层。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括垂直贯穿所述第二堆叠结构的环状结构，所述环状结构位于所述器件区的边缘、且所述环状结构的内环环绕所述器件区；由所述环状结构的外环指向所述环状结构的内环的方向，所述环状结构包括第三介质层和密封环。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述存储阵列区包括台阶区，所述台阶区将所述存储阵列区隔成两个子存储阵列区。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括垂直贯穿所述第一堆叠结构的多个存储沟道结构。

11.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：

形成衬底，所述衬底包括器件区，所述器件区包括存储阵列区和与所述存储阵列区相邻的外围区；

形成位于所述衬底上的堆叠结构，所述堆叠结构包括位于所述存储阵列区的第一堆叠结构和位于所述外围区的第二堆叠结构，所述堆叠结构包括交替堆叠的层间绝缘层和层间介质层；

将所述第一堆叠结构的层间介质层置换为层间栅极层。

12.根据权利要求11所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述衬底还包括切割道区，所述切割道区包括多个第一切割道区和多个第二切割道区，多个所述第一切割道区和多个所述第二切割道区交叉限定出多个所述器件区，所述堆叠结构还包括位于所述割道区的第三堆叠结构，所述第三堆叠结构包括交替堆叠的所述层间绝缘层和所述层间介质层。

13.根据权利要求12所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在形成所述堆叠结构的步骤之前，还包括在所述衬底上对应于所述第一切割道区和/或第二切割道区形成对准标记。

14.根据权利要求11所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在形成所述堆叠结构的步骤之前，还包括在所述衬底上对应于所述外围区形成对准标记。