[发明专利]半导体封装结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：

基板；

重布线层，位于所述基板上方；

底部填充物，位于所述基板与所述重布线层之间，

其中，所述底部填充物延伸至所述重布线层的至少一个侧壁，所述底部填充物与所述重布线层的所述至少一个侧壁之间以一间隙横向地间隔开。

2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，

所述间隙延伸至所述重布线层的所述至少一侧的侧壁。

3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，

所述底部填充物的面向所述间隙的表面包括切面。

4.根据权利要求3所述的半导体封装结构，其特征在于，

所述切面具有烧炙痕迹。

5.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，

所述间隙的底部包括圆形形状的烧炙痕迹。

6.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括：

管芯，位于所述重布线层上方；

第二底部填充物，位于所述管芯与所述重布线层之间。

7.根据权利要求6所述的半导体封装结构，其特征在于，

所述第二底部填充物延伸至所述间隙内。

8.根据权利要求6所述的半导体封装结构，其特征在于，

所述底部填充物的面向所述间隙的表面包括切面，所述第二底部填充物与所述切面接触。

9.根据权利要求6所述的半导体封装结构，其特征在于，

所述第二底部填充物与所述重布线层的所述至少一侧的侧壁接触。

10.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，

所述底部填充物的顶部具有尖角形状。

11.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，

所述底部填充物的所述顶部位于所述重布线层上方。

12.一种形成半导体封装结构的方法，其特征在于，包括：

提供基板，并将形成在载体上的重布线层接合至所述基板；

形成位于所述基板与所述重布线层之间的底部填充物，其中，所述底部填充物延伸至所述载体的侧壁；

去除至少所述载体的所述侧壁处的所述底部填充物；

去除所述载体。

13.根据权利要求12所述的形成半导体封装结构的方法，其特征在于，去除至少所述载体的所述侧壁处的所述底部填充物包括：

利用激光去除所述载体的所述侧壁处的所述底部填充物。

14.根据权利要求12所述的形成半导体封装结构的方法，其特征在于，去除至少所述载体的所述侧壁处的所述底部填充物包括：

还去除所述重布线层的侧壁处的至少部分所述底部填充物。

15.根据权利要求12所述的形成半导体封装结构的方法，其特征在于，去除至少所述载体的所述侧壁处的所述底部填充物包括：

将保留的所述底部填充物的邻近所述重布线层的表面形成为切面。

16.根据权利要求15所述的形成半导体封装结构的方法，其特征在于，去除至少所述载体的所述侧壁处的所述底部填充物包括：

所述切面形成有烧炙痕迹。

17.根据权利要求11所述的形成半导体封装结构的方法，其特征在于，在去除所述载体之后，还包括：

在所述重布线层上方形成管芯；

在所述管芯与所述重布线层之间形成第二底部填充物。

18.根据权利要求17所述的形成半导体封装结构的方法，其特征在于，

所述第二底部填充物填充所述底部填充物与所述重布线层之间的间隙。