[发明专利]一种全硅FER沸石及其制备方法

权利要求书

1.一种全硅FER沸石，其特征在于，所述全硅沸石分子筛结构为FER型,其沸石骨架具有特征粉末XRD衍射谱，其中，衍射指数(7 0 3)衍射峰与衍射指数(0 4 0)衍射峰在衍射角度46°至50°的层间距值为1.8至1.92。

2.根据权利要求1所述的全硅FER沸石，其特征在于，所述的衍射指数(7 0 3)衍射峰的衍射角度为47.55°至47.57°，其层间距为1.912至1.915；所述衍射指数(0 4 0)衍射峰的衍射角度为49.13°至49.16°，其层间距为1.853至1.854。

3.一种全硅FER沸石的制备方法，其特征在于，以正丙胺为有机导向剂，将含有FER沸石晶种的碱性反应物混合物经水热反应合成，合成产物经过滤、洗涤、烘干、饱和水蒸气高温焙烧使其骨架上的微量铝脱离骨架、骨架表面硅羟基缩合、晶格收缩，制成全硅骨架FER沸石。

4.根据权利要求3所述的全硅FER沸石的制备方法，其特征在于，所述的碱性反应物体系的各反应物的摩尔比为SiO₂:H₂O:PrNH₂:Na₂O:晶种＝1.0:21.7:1.0:0.025:0.2。

5.根据权利要求3所述的全硅FER沸石的制备方法，其特征在于，所述水热合成反应温度120℃、反应时间为72小时。

6.根据权利要求3所述的全硅FER沸石的制备方法，其特征在于，所述水热合成产物具有FER沸石的特征XRD粉末衍射谱,其晶形呈薄片状长方形单晶体、晶体尺寸1.0至2.0微米；所述饱和水蒸气焙烧处理的焙烧温度是680℃至750℃，焙烧时间为2至8小时。

7.根据权利要求3所述的全硅FER沸石的制备方法，其特征在于，所述全硅FER沸石具有憎水、亲有机物的吸附特性。

8.根据权利要求3所述的全硅FER沸石的制备方法，其特征在于，所述全硅FER沸石具有吸附烃类、烷基醇类、胺类、醛类、酮类、醚类、醛类与酯类等有机物质的吸附特性。

9.根据权利要求8所述的全硅FER沸石的制备方法，其特征在于，吸附有机物质特性通过亲和性指数A_T表征，设定A_T＝T_d-T_b，其中，T_b为被吸附吸附质的沸点，T_d为该吸附质脱附温度，其中，直链烷烃随分子量的增加亲和性指数A_T值表现出周期性的波动、直链烷基胺的A_T值随烷基链长增加而减小。

10.根据权利要求9所述的全硅FER沸石的制备方法，其特征在于，

当A_T＜0，表明所述全硅沸石微孔表面和被吸附的有机分子无亲和性；

当A_T≥0，表明所述全硅沸石微孔表面和被吸附的有机分子物有亲和性。