[发明专利]一种加速代谢晶圆研磨废弃物的方法

说明书

本发明属于半导体制造技术领域，具体涉及一种加速代谢晶圆研磨废弃物的方法，包括提供晶圆，该晶圆具有集成电路的正面与背面，该晶圆正面贴附保护胶，接着将该晶圆送入机台的研磨机构进行作业以达设定之薄度；本发明以加速代谢研磨废弃物的方式，不仅可有效达到薄化的成果，亦可有效降低破片与晶圆研磨后质量异常。

技术领域

本发明属于半导体制造技术领域，具体的讲涉及一种加速代谢晶圆研磨废弃物的方法。

背景技术

现今半导体技术与日俱进，而未来的集成电路趋势是藉由将晶圆研磨薄化以达成后续封装制程能将数个薄化芯片堆叠封装包覆，且晶圆薄化更可让芯片实现低功率与低导通阻抗之优点，不仅有效延长产品寿命，更有效提升使用上的效率。

现阶段晶圆研磨技术中，多数晶圆研磨制程为了避免晶圆于研磨制程中破片异常而改以强化胶带贴附晶圆的功能(如CN101367192A与CN108500862A)或以蚀刻制程以达到晶圆薄化效果(TW201810400A)，但上述发明与改善均需耗费额外成本与设备提升以达晶圆薄化目的，本发明则以有效代谢晶圆废弃物的方法达到相同目的，不仅可降低破片异常，亦可提升制程良率。

发明内容

为解决现有技术存在的问题，本发明提供一种加速代谢晶圆研磨废弃物的方法。该方法可以有效避免研磨废弃物代谢不良造成晶圆破片并大幅降低晶圆于研磨中造成深刮与刀纹异常，可有效提高产能与拉升良率。

本发明的技术方案是这样实现的：

一种加速代谢晶圆研磨废弃物的方法，包含如下步骤：

提供晶圆，该晶圆具有集成电路的正面与背面，该晶圆正面贴附保护胶，接着将该晶圆送入机台的研磨机构进行作业以达设定的薄度。

进一步地，研磨方式分为粗磨与细磨。

进一步地，研磨晶圆尺寸可为4in、6in、8in与12in。

进一步地，研磨厚度最终可达12mil以下。

进一步地，所述研磨机构包括研磨转轴、研磨轮、固定盘、可绕式喷管，该研磨机工作步骤如下：先以真空将晶圆吸附固定于固定盘，藉由研磨转轴与锁固于上的研磨轮与固定盘进行高速研磨作动，并经由可绕式喷管将水喷出清洗代谢研磨废弃物。

进一步地，研磨转轴在粗磨时最佳转速为2100rpm～2800rpm，且其转动方向为顺时针。

进一步地，研磨转轴在细磨时最佳转速为1050rpm～1250rpm，且其转动方向为顺时针。

进一步地，研磨轮上设有若干个研磨齿。

进一步地，固定盘材质可为陶瓷或树脂。

进一步地，固定盘真空吸附压力至少为65kpa。

进一步地，固定盘最佳转速为150rpm～210rpm，且其转动方向为逆时针。

进一步地，可绕式喷管由一个喷嘴与多个连接件所组成。

进一步地，可绕式喷管喷出为纯水。

进一步地，该连接件一端固定连接于机台，另一端与喷嘴固定连接。

进一步地，可绕式喷管需于研磨作动时将水喷于研磨齿上。

进一步地，可绕式喷管与研磨齿最佳距离为2cm～3cm。

进一步地，可绕式喷管的喷嘴与固定盘最佳距离为1cm～2cm。

进一步地，可绕式喷管粗磨时的最佳喷出水流量为9l/min～10l/min。

进一步地，可绕式喷管细磨时最佳喷出水流量为4l/min～7l/min。