[发明专利]一种芯片用晶圆盘磨圆装置

说明书

一种芯片用晶圆盘磨圆装置，包括：控制柜，包括柜体，柜体设有下端设有一对调节组件，调节组件用于柜体下端的支撑以及平衡度的调节；转移组件，设于控制柜的一端，包括横移机构，横移机构设有前推机构，前推机构设有升降机构，升降机构设有转动机构，转动机构设有吸夹机构，放置组件，设于控制柜；磨圆单元，设于控制柜的另一端，包括一对夹持组件，夹持组件之间设有磨圆机构。本发明在进行晶圆盘的加工时，方便进行晶圆盘的磨圆操作，在磨圆操作中，方便进行晶圆盘的稳定且精确的转移，方便进行晶圆盘的夹持，方便带动晶圆盘转动，显著的提高了晶圆盘磨圆的自动化程度，提高了晶圆盘磨圆的效率，提高了晶圆盘磨圆的品质，具有较强的实用性。

技术领域

本发明涉及半导体芯片加工相关技术领域，尤其涉及一种芯片用晶圆盘磨圆装置。

背景技术

晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅。

一般地常见的硅晶圆生产过程包括：硅提炼及提纯、单晶硅生长以及晶圆成型，其中，硅的提纯是第一道工序，需将沙石原料放入一个温度超过两千摄氏度的并有碳源的电弧熔炉中，在高温下发生还原反应得到冶金级硅，然后将粉碎的冶金级硅与气态的氯化氢反应，生成液态的硅烷，然后通过蒸馏和化学还原工艺，得到了高纯度的多晶硅。一般地常用的是直拉法，高纯度的多晶硅放在石英坩埚中，并用外面围绕着的石墨加热器不断加热，温度维持在大约一千多摄氏度，炉中的空气通常是惰性气体，使多晶硅熔化，同时又不会产生不需要的化学反应。为了形成单晶硅，还需要控制晶体的方向，坩埚带着多晶硅熔化物在旋转，把一颗籽晶浸入其中，并且由拉制棒带着籽晶作反方向旋转，同时慢慢地、垂直地由硅熔化物中向上拉出。熔化的多晶硅会粘在籽晶的底端，按籽晶晶格排列的方向不断地生长上去。用直拉法生长后，单晶棒将按适当的尺寸进行切割，然后进行研磨，再用化学机械抛光工艺使对其表面进行抛光，并且为了方便后期的加工、减薄以及镀膜操作需要对晶圆盘的外弧壁进行磨圆操作，通过晶圆盘的磨圆操作可方便后期晶圆盘加工或者芯片加工时的定位。

现有的晶圆盘在进行磨圆操作中，存在着自动化程度较低操作较为粗放，具体表现为加工时通过人工转移的方式进行晶圆盘的转移，同时现有的磨圆装置在磨圆过程中由于装个装置的不稳定性造成磨圆质量较差，同时在磨圆过程中不方便进行晶圆盘的夹持和带动晶圆盘转动，且现有的磨圆装置大多采用卧式磨圆的方式，这种方式由于晶圆盘为平躺式放置，从而在转动时容易对晶圆盘的端面造成影响，降低了晶圆盘的品质。

发明内容

本发明提供一种芯片用晶圆盘磨圆装置，以解决上述现有技术的不足，在进行晶圆盘的加工时，方便进行晶圆盘的磨圆操作，在磨圆操作中，方便进行晶圆盘的稳定且精确的转移，方便进行晶圆盘的夹持，方便带动晶圆盘转动，显著的提高了晶圆盘磨圆的自动化程度，提高了晶圆盘磨圆的效率，提高了晶圆盘磨圆的品质，具有较强的实用性。

为了实现本发明的目的，拟采用以下技术：

一种芯片用晶圆盘磨圆装置，包括：

控制柜，包括柜体，柜体设有下端设有一对调节组件，调节组件用于柜体下端的支撑以及平衡度的调节；

转移组件，设于控制柜的一端，包括横移机构，横移机构设有前推机构，前推机构设有升降机构，升降机构设有转动机构，转动机构设有吸夹机构，横移机构的运动方向与控制柜的宽度方向平行，横移机构用于带动前推机构沿其运动方向运动，前推机构的运动方向与控制柜的长度方向平行，前推机构用于调节升降机构与横移机构之间的间距，升降机构用于调节转动机构的高度，转动机构用于带动吸夹机构进行转动，以调节被吸夹机构夹持晶圆片的姿态；

放置组件，设于控制柜；

磨圆单元，设于控制柜的另一端，包括一对夹持组件，夹持组件之间设有磨圆机构，夹持组件用于晶圆盘的夹持，以及带动晶圆盘转动，以使磨圆机构对晶圆盘的弧壁进行磨抛；

转移组件用于晶圆盘的转移，以使晶圆盘从放置组件向磨圆单元运动，放置组件用于多个晶圆盘的放置，磨圆单元用于晶圆盘弧壁的磨抛操作。