[发明专利]一种基于太赫兹时域光谱的绝缘子污秽度检测方法及装置在审
申请号: | 202110934761.4 | 申请日: | 2021-08-16 |
公开(公告)号: | CN113624712A | 公开(公告)日: | 2021-11-09 |
发明(设计)人: | 宗鹏锦;刘荣海;邱方程;郭新良;蔡晓斌;李鹏吾;郑欣;杨迎春;熊艳梅;许宏伟;代克顺;陈国坤;焦宗寒;袁涛 | 申请(专利权)人: | 云南电网有限责任公司电力科学研究院 |
主分类号: | G01N21/3586 | 分类号: | G01N21/3586;G01N21/3563;G01N21/55 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人: | 逯长明;许伟群 |
地址: | 650217 云南省昆*** | 国省代码: | 云南;53 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 赫兹 时域 光谱 绝缘子 污秽 检测 方法 装置 | ||
1.一种基于太赫兹时域光谱的绝缘子污秽度检测方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:
步骤1:配置不同质量NaCl的绝缘子污秽样品;
步骤2:计算不同质量NaCl的绝缘子污秽样品的等值盐密;
步骤3:通过反射式太赫兹时域光谱仪对不同质量NaCl的绝缘子污秽样品的等值盐密进行检测,得到不同质量NaCl的绝缘子污秽样品的太赫兹光谱;
步骤4:通过不同质量NaCl的绝缘子污秽样品的太赫兹光谱,建立不同等值盐密绝缘子污秽样品的光谱对比数据库,得到标准数据库;
步骤5:获取待测绝缘子,通过反射式太赫兹时域光谱仪得到待测绝缘子污秽的太赫兹光谱;
步骤6:将待测绝缘子污秽的太赫兹光谱与标准数据库进行对比,得到待测绝缘子表面污秽的等值盐密,进而可知待测绝缘子的污秽度。
2.如权利要求1所述的基于太赫兹时域光谱的绝缘子污秽度检测方法,其特征在于,所述通过反射式太赫兹时域光谱仪对不同质量NaCl的绝缘子污秽样品的等值盐密进行检测,得到不同质量NaCl的绝缘子污秽样品的太赫兹光谱包括:通过反射式太赫兹时域光谱仪对不同质量NaCl的绝缘子污秽样品的等值盐密进行多次检测,然后取多次实验取数据的平均值,得到不同质量NaCl的绝缘子污秽样品的太赫兹光谱。
3.如权利要求1所述的基于太赫兹时域光谱的绝缘子污秽度检测方法,其特征在于,所述获取待测绝缘子,通过反射式太赫兹时域光谱仪得到待测绝缘子污秽的太赫兹光谱包括:通过反射式太赫兹时域光谱仪对待测绝缘子表面的污秽进行太赫兹实验,得到待测绝缘子表面的污秽的太赫兹时域数据;通过绘图软件对时域数据处理,得到待测绝缘子表面污秽的太赫兹光谱图。
4.如权利要求1所述的基于太赫兹时域光谱的绝缘子污秽度检测方法,其特征在于,所述将待测绝缘子污秽的太赫兹光谱与标准数据库进行对比,得到待测绝缘子表面污秽的等值盐密,进而可知待测绝缘子的污秽度包括:将待测绝缘子污秽的太赫兹光谱峰值与不同等值盐密绝缘子污秽样品的光谱对比数据库的峰值进行对比,与不同等值盐密绝缘子污秽样品的光谱对比数据库的峰值相同的即为待测绝缘子表面污秽的等值盐密,进而可知待测绝缘子的污秽度。
5.一种基于太赫兹时域光谱的绝缘子污秽度检测装置,其特征在于,所述基于太赫兹时域光谱的绝缘子污秽度检测装置包括反射式太赫兹时域光谱仪和计算机,所述反射式太赫兹时域光谱仪包括飞秒激光器、离轴抛物面反光镜、硅片、反光镜和太赫兹探测器,所述飞秒激光器输出一束激光,所述飞秒激光器将激光传给所述离轴抛物面反光镜后经所述离轴抛物面反光镜聚焦并反射出,然后经所述硅片到达所述反光镜,所述反光镜将激光反射给绝缘子样品,最终绝缘子样品将反射出的激光经所述反光镜和所述离轴抛物面反光镜传给所述太赫兹探测器,所述太赫兹探测器通过处理分析把结果显示在所述计算机上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于云南电网有限责任公司电力科学研究院,未经云南电网有限责任公司电力科学研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110934761.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。