[发明专利]显示面板及其制作方法、移动终端有效
| 申请号: | 202110934658.X | 申请日: | 2021-08-16 |
| 公开(公告)号: | CN113745245B | 公开(公告)日: | 2022-12-23 |
| 发明(设计)人: | 张伟彬;刘红 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;H01L27/15;H01L27/32;G09G3/32 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 杨瑞 |
| 地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示 面板 及其 制作方法 移动 终端 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括衬底和位于所述衬底上的像素驱动电路层,所述像素驱动电路层包括多个像素驱动电路,每个所述像素驱动电路包括开关补偿晶体管及至少一个功能晶体管;
其中,所述显示面板还包括与所述开关补偿晶体管对应的多个第一过孔,所述开关补偿晶体管的膜层包括至少部分所述第一过孔,在所述显示面板的俯视视角,所述第一过孔与对应所述开关补偿晶体管之间的距离小于所述第一过孔与任一所述功能晶体管之间的距离,所述开关补偿晶体管包括位于所述衬底上的第一半导体、位于所述第一半导体上的第一无机绝缘层、位于所述第一无机绝缘层上的第一栅极及位于所述第一栅极上的第二无机绝缘层,所述第二无机绝缘层包括至少部分所述第一过孔,所述第一过孔包括多个第一类孔及多个第二类孔,在所述显示面板的俯视视角,所述第一类孔的正投影位于所述第一栅极内,所述第二类孔的正投影位于所述第一栅极外,所述第二类孔的深度大于所述第一类孔的深度,所述开关补偿晶体管还包括位于所述第二无机绝缘层上的第一有机绝缘层及位于所述第一有机绝缘层上的源漏极层,所述第一过孔内填充有所述第一有机绝缘层,在靠近所述第一过孔的方向上,所述开关补偿晶体管的所述第二无机绝缘层及所述第一无机绝缘层中的氢元素含量降低,第一半导体中的氢元素含量降低。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述开关补偿晶体管中的膜层的氢元素含量小于所述功能晶体管中的膜层的氢元素含量。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括阵列设置的多个发光器件和驱动所述发光器件发光的所述像素驱动电路,所述像素驱动电路包括第一初始化晶体管、所述开关补偿晶体管、驱动晶体管、电压补偿晶体管、第二初始化晶体管、第一发光控制晶体管、第二发光控制晶体管、以及第一电容;
其中,所述驱动晶体管的栅极连接于第一节点,所述驱动晶体管的第一端连接于第三节点,所述驱动晶体管的第二端连接于第二节点;
所述开关补偿晶体管的栅极连接第二扫描信号,所述开关补偿晶体管的第一端连接数据信号,所述开关补偿晶体管的第二端连接于所述第二节点;
所述电压补偿晶体管的栅极连接所述第二扫描信号,所述电压补偿晶体管的第一端连接于所述第三节点,所述电压补偿晶体管的第二端连接于所述第一节点;
所述第一初始化晶体管的栅极连接第一扫描信号,所述第一初始化晶体管的第一端连接于第五节点,所述第一初始化晶体管的第二端连接于所述第一节点,所述第一初始化晶体管通过所述第五节点与初始化信号相连;
所述第一发光控制晶体管的栅极连接发光控制信号,所述第一发光控制晶体管的第一端连接于第六节点,所述第一发光控制晶体管的第二端连接于所述第二节点,所述第一发光控制晶体管通过所述第六节点与电源高电位信号线相连;
所述第二发光控制晶体管的栅极连接所述发光控制信号,所述第二发光控制晶体管的第一端连接于所述第三节点,所述第二发光控制晶体管的第二端连接于第四节点,所述第二发光控制晶体管通过所述第四节点与所述发光器件的阳极相连;
所述第二初始化晶体管的栅极连接所述第二扫描信号,所述第二初始化晶体管的第一端连接于所述第四节点,所述第二初始化晶体管的第二端连接于所述第五节点,所述第二初始化晶体管通过所述第五节点与所述初始化信号相连,所述第二初始化晶体管通过所述第四节点与所述发光器件的阳极相连;
所述第一电容的第一电容电极连接于所述第六节点,所述第一电容的第二电容电极连接于所述第一节点,所述第一电容通过所述第六节点与电源高电位信号线相连。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





