[发明专利]电磁屏蔽构件电路的优化方法和电磁屏蔽构件在审
| 申请号： | 202110933928.5 | 申请日： | 2021-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN113792516A | 公开（公告）日： | 2021-12-14 |
| 发明（设计）人： | 苏伟;韦士彩;叶宗和;胡守荣 | 申请（专利权）人： | 深圳市志凌伟业光电有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/392 | 分类号： | G06F30/392;G06F30/398 |
| 代理公司： | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人： | 高川 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙华区观澜街道大富*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电磁 屏蔽 构件 电路 优化 方法 | ||
1.一种电磁屏蔽构件电路的优化方法，其特征在于，包括以下步骤：
在待优化可透光基板的面积S上截取待优化导电层的截面，以获取截面积A；
通过xA＝B以获得B，其中所述x大于或等于0.5；以及
根据所述B设计出优化导电层，所述B为在优化可透光基板的面积S上的相同位置截取优化导电层的截面的截面积。
2.如权利要求1所述的电磁屏蔽构件电路的优化方法，其特征在于，所述x的范围为大于或等于0.5，且小于或等于3。
3.如权利要求1所述的电磁屏蔽构件电路的优化方法，其特征在于，所述根据所述B设计出优化导电层的步骤之后包括：
通过xA＝B1+B2+B3...+Bn设计优化导电层，以使所述优化导电层呈网格状，其中所述B包括B1、B2、B3...Bn，B1、B2、B3...Bn为在所述优化可透光基板的面积S上的相同位置截取所述优化导电层的截面的截面积。
4.如权利要求3所述的电磁屏蔽构件电路的优化方法，其特征在于，所述通过xA＝B1+B2+B3...+Bn设计优化导电层的步骤之后包括：
将所述优化导电层的第一网孔的孔口设计成多边形。
5.如权利要求4所述的电磁屏蔽构件电路的优化方法，其特征在于，所述将所述优化导电层的第一网孔的孔口设计成多边形的步骤之后包括：
将所述优化导电层的第一网孔的孔口设计成菱形。
6.如权利要求5所述的电磁屏蔽构件电路的优化方法，其特征在于，所述将所述优化导电层的第一网孔的孔口设计成菱形的步骤之后包括：
将所述优化导电层的第一网孔的孔口一夹角的角度范围设置成30度至60度。
7.如权利要求1所述的电磁屏蔽构件电路的优化方法，其特征在于，所述根据所述B设计出优化导电层的步骤之后包括：
将所述优化导电层设置出两个；
将一所述优化导电层设置于所述优化可透光基板的一侧；
将另一所述优化导电层设置于所述优化可透光基板相对的另一侧。
8.如权利要求7所述的电磁屏蔽构件电路的优化方法，其特征在于，所述将另一所述优化导电层设置于所述优化可透光基板相对的另一侧的步骤之后包括：
自所述优化可透光基板的一侧朝相对的另一侧的方向上看，将一所述优化导电层的网格线遮挡另一所述优化导电层的网格线。
9.如权利要求1至8任一项所述的电磁屏蔽构件电路的优化方法，其特征在于，所述根据所述B设计出优化导电层的步骤之后包括：
将所述优化导电层分隔出多个朝第一方向延伸的第一电极列和多个朝第二方向延伸的第二电极列，其中，多个所述第一电极列间隔设置，多个所述第二电极列间隔设置。
10.一种电磁屏蔽构件，其特征在于，采用权利要求1至9任一项所述的电磁屏蔽构件电路的优化方法设计而成。
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