[发明专利]多栅极器件及其制造方法

权利要求书

1.一种多栅极器件，包括：

衬底，具有第一区域和第二区域；

第一场效应晶体管(FET)，设置在所述第一区域中，其中，所述第一场效应晶体管包括：

第一沟道层，设置在所述衬底上方，

第一栅极堆叠件，设置在所述第一沟道层上并且延伸以包裹所述第一沟道层的每个，以及

第一源极/漏极部件，由所述第一栅极堆叠件插入并且延伸以接触所述第一沟道层的每个；以及

第二场效应晶体管，设置在所述第二区域中，其中，所述第二场效应晶体管包括：

第二沟道层，设置在所述衬底上方，

第二栅极堆叠件，设置在所述第二沟道层上并且延伸以包裹所述第二沟道层的每个，以及

第二源极/漏极部件，由所述第二栅极堆叠件插入并且延伸以接触所述第二沟道层的每个，

其中，所述第一沟道层的数量大于所述第二沟道层的数量，并且其中，所述第一沟道层的最底部一个沟道层位于所述第二沟道层的最底部一个沟道层下方。

2.根据权利要求1所述的多栅极器件，其中，所述第一沟道层的最顶部一个沟道层和所述第二沟道层的最顶部一个沟道层包括共同的顶面和共同的底面。

3.根据权利要求2所述的多栅极器件，其中，所述第一栅极堆叠件的顶面和所述第二栅极堆叠件的顶面共面。

4.根据权利要求3所述的多栅极器件，其中，所述第一栅极堆叠件的底面位于所述第二栅极堆叠件的底面下方。

5.根据权利要求4所述的多栅极器件，其中，

所述第一场效应晶体管还包括水平设置在所述第一栅极堆叠件的相对边缘上的第一内部间隔件；

所述第二场效应晶体管还包括水平设置在所述第二栅极堆叠件的相对边缘上的第二内部间隔件；

所述第一内部间隔件向上延伸至第一层级；以及

所述第二内部间隔件向上延伸至与所述第一层级匹配的第二层级。

6.根据权利要求5所述的多栅极器件，其中，

所述第一内部间隔件的最底部间隔件位于所述第二内部间隔件的最底部间隔件下方；

所述第一内部间隔件的所述最底部间隔件包括与所述第一栅极堆叠件的底面共面的第一底面；以及

所述第二内部间隔件的所述最底部间隔件包括与所述第二栅极堆叠件的底面共面的第二底面。

7.根据权利要求5所述的多栅极器件，其中，

所述第一内部间隔件的所述最底部间隔件包括第一底面；

所述第二内部间隔件的所述最底部间隔件包括与所述第一底部共面的第二底面；

所述第一内部间隔件的所述最底部间隔件的所述第一底面与所述第一栅极堆叠件的所述底面共面；以及

所述第二内部间隔件的所述最底部间隔件的所述第二底面位于所述第二栅极堆叠件的所述底面下方。

8.根据权利要求1所述的多栅极器件，还包括设置在第三区域中的第三场效应晶体管，其中，所述第三场效应晶体管包括：

第三沟道层，设置在所述衬底上方，

第三栅极堆叠件，设置在所述第三沟道层上并且延伸以包裹所述第三沟道层的每个，以及

第三源极/漏极部件，由所述第三栅极堆叠件插入并且延伸以接触所述第三沟道层的每个，其中，所述第三沟道层的数量小于所述第一沟道层的数量和所述第二沟道层的数量的每个。