[发明专利]闪存的制造方法

权利要求书

1.一种闪存的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、在半导体衬底上形成第一栅介质层和第一多晶硅层；

步骤二、在所述第一多晶硅层的顶部形成硬质掩膜层；

步骤三、光刻定义出源线形成区域，根据光刻定义依次对所述硬质掩膜层、所述第一多晶硅层和所述第一栅介质层进行第一次刻蚀形成源线开口，所述源线开口的底部将所述半导体衬底表面暴露；所述第一次刻蚀形成的所述第一多晶硅层的侧面为字线多晶硅栅的第一侧面；

步骤四、在所述源线开口的底部的所述半导体衬底中形成源区；

步骤五、在所述源线开口的侧面形成第一栅间介质层和形成由TiN层组成的浮栅；所述第一栅间介质层在所述浮栅和所述字线多晶硅栅之间实现隔离，所述第一栅间介质层还位于所述浮栅底部的所述半导体衬底表面实现所述浮栅和所述源区之间的隔离；

步骤六、在形成有所述第一栅间介质层和所述浮栅的所述源线开口中形成第二栅间介质层和由导电材料层组成的控制栅；所述第二栅间介质层在所述控制栅和所述浮栅之间实现隔离；

步骤七、形成第三栅间介质层和擦除栅的导电材料层，光刻定义出擦除栅的形成区域并对所述第三栅间介质层和所述擦除栅的导电材料层进行刻蚀形成所述擦除栅；所述擦除栅位于所述浮栅和所述控制栅的顶部且所述擦除栅的覆盖区域大于所述源线开口的形成区域；

步骤八、去除所述硬质掩膜层，形成第一侧墙，所述第一侧墙形成在所述擦除栅的侧面以及所述擦除栅底部的所述第一栅间介质层的侧面；

步骤九、以所述第一侧墙为自对准条件对所述第一多晶硅层和所述第一栅介质层进行第二次刻蚀，所述第二次刻蚀形成的所述第一多晶硅层的侧面为所述字线多晶硅栅的第二侧面。

2.如权利要求1所述的闪存的制造方法，其特征在于：所述半导体衬底包括硅衬底。

3.如权利要求1所述的闪存的制造方法，其特征在于：所述第一栅介质层包括氧化层。

4.如权利要求1所述的闪存的制造方法，其特征在于：所述硬质掩膜层由第一氮化层和第二氧化层叠加而成。

5.如权利要求4所述的闪存的制造方法，其特征在于：步骤三的所述第一次刻蚀包括如下分步骤：

根据光刻定义依次对所述所述硬质掩膜层进行刻蚀；

在所述所述硬质掩膜层的侧面形成第二侧墙；

以所述第二侧墙为自对准条件对所述第一多晶硅层和所述第一栅介质层进行刻蚀形成所述源线开口。

6.如权利要求5所述的闪存的制造方法，其特征在于：所述第一次刻蚀中，在对所述第一栅介质层的刻蚀完成后，还包括对所述半导体衬底进行过刻蚀的步骤。

7.如权利要求6所述的闪存的制造方法，其特征在于：在所述第一次刻蚀的过刻蚀之前，还包括在所述第二侧墙的侧面和所述字线多晶硅栅的第一侧面形成第三侧墙的步骤，之后以所述第三侧墙为自对准条件进行所述第一次刻蚀的过刻蚀。

8.如权利要求6所述的闪存的制造方法，其特征在于：所述浮栅的顶部表面高于所述控制栅的顶部表面，所述浮栅在所述控制栅的顶部表面之上形成尖端结构。

9.如权利要求8所述的闪存的制造方法，其特征在于：所述控制栅的导电材料层采用钨。

10.如权利要求1所述的闪存的制造方法，其特征在于：在所述半导体衬底上形成有多个所述闪存的单元结构，一个所述源区为相邻两个所述单元结构共用。

11.如权利要求10所述的闪存的制造方法，其特征在于：步骤九之后还包括：

以所述字线多晶硅栅的第二侧面为自对准条件进行N+注入形成漏区。

12.如权利要求1所述的闪存的制造方法，其特征在于：闪存为38超级闪存。