[发明专利]一种淀积工艺的仿真方法及装置

说明书

本申请提供一种淀积工艺的仿真方法及装置。所述方法包括：根据淀积反应剂的淀积参数确定仿真淀积速率，并将淀积时长划分为多个淀积时间段，按照该仿真淀积速率，在每个淀积时间段初始时刻的初始仿真立体结构的淀积剖面上进行对应时长的仿真淀积后，得到每个淀积时间段结束时刻的待处理立体结构，利用预设的高斯函数对该待处理立体结构的淀积剖面进行平滑处理后，得到每个淀积时间段结束时刻的仿真立体结构，如此不断迭代，直至得到淀积对象在最后一个淀积时间段结束时刻的仿真立体结构。如此，本申请提供的方法考虑到了淀积过程结束之后淀积回流对淀积对象结构的影响，整个方法的仿真精确度较高。

技术领域

本申请涉及集成电路制造技术领域，特别涉及一种淀积工艺的仿真方法及装置。

背景技术

随着半导体工艺的发展，集成电路器件上晶体管的数目不断增多，导致集成电路制造的精确度面临愈加严峻的挑战。在半导体器件的制备过程中，通常需要在衬底上进行薄膜淀积，即将预设的淀积材料按预设的形状一层一层地淀积在衬底的表面。为了准确地描述淀积过程中淀积对象（包括衬底以及在衬底结构上淀积的薄膜）的结构变化，在衬底的淀积剖面上进行实际淀积之前，需要对整个淀积过程进行仿真。

对淀积过程进行仿真，通常可以将衬底划分为多个合适的部分，每一部分作为一个仿真窗口，获取仿真窗口内沟槽图形的等效参数，进而确定仿真窗口内的等效沟槽表面积和等效淀积体积，再根据淀积过程的淀积反应剂中入射粒子淀积体积与等效沟槽表面积的线性关系，确定仿真窗口内的实际淀积体积，最终根据实际淀积体积和等效淀积体积，获得淀积过程结束后淀积对象的结构变化。

然而，淀积过程是动态的过程，淀积材料在淀积过程结束之后、构造完全稳定之前会有不同程度的回流，即淀积回流，淀积回流是非线性的变化过程，因而无法采用简单的线性函数进行描述。可见，采用上述划分仿真窗口的方法仅能仿真与衬底的结构呈线性变化的淀积过程，难以考虑到淀积过程结束之后淀积回流对淀积对象结构的影响，因而淀积过程的仿真精确度较低。

发明内容

本申请提供了一种淀积工艺的仿真方法及装置，可用于解决现有技术仿真精确度较低的技术问题。

第一方面，本申请实施例提供一种淀积工艺的仿真方法，包括：

获取淀积对象的初始立体结构；

根据预设的淀积反应剂的淀积参数，确定仿真淀积速率；

根据预设淀积时长，确定多个淀积时间段，以及每个淀积时间段的时长；

针对多个淀积时间段中任一目标淀积时间段，执行淀积仿真步骤，直至得到所述淀积对象在最后一个淀积时间段结束时刻的仿真立体结构；其中，所述淀积仿真步骤包括：

获取所述淀积对象在所述目标淀积时间段初始时刻的初始仿真立体结构，其中，如果所述目标淀积时间段为初始淀积时间段，则所述初始仿真立体结构为所述初始立体结构；

按照所述仿真淀积速率，在所述初始仿真立体结构的淀积剖面上进行对应时长的仿真淀积，得到所述淀积对象在所述目标淀积时间段结束时刻的待处理立体结构；

利用预设的高斯函数对所述待处理立体结构中的淀积剖面进行平滑处理，得到所述淀积对象在所述目标淀积时间段结束时刻的仿真立体结构。

结合第一方面，在第一方面的一种可实现方式中，所述按照所述仿真淀积速率，在所述初始仿真立体结构的淀积剖面上进行对应时长的仿真淀积，得到所述淀积对象在所述目标淀积时间段结束时刻的待处理立体结构，包括：

对所述初始仿真立体结构进行网格化处理，得到多个立体网格单元，所述立体网格单元包括多个网格面；

从所有网格面中，获取位于所述初始仿真立体结构的淀积剖面上的表面网格面；