[发明专利]半导体器件和制造半导体结构的方法

权利要求书

1.一种用于制造半导体结构的方法，其包括：

形成从衬底垂直突出的鳍结构；

在所述鳍结构的表面上外延生长硅层；

执行第一快速热氮化(RTN)工艺，其中所述第一快速热氮化工艺将氮注入至外延生长的硅层中；

在已经执行所述第一快速热氮化工艺之后，在所述外延生长的硅层上方形成介电衬垫层；以及

在所述介电衬垫层上方形成介电隔离结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其中：

形成所述鳍结构包括执行一个或多个蚀刻工艺来图案化所述鳍结构，其中在执行所述一个或多个蚀刻工艺之后，所述鳍结构具有第一表面粗糙度；以及

外延生长在所述鳍结构上的所述硅层具有小于所述第一表面粗糙度的第二表面粗糙度。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述鳍结构包括形成包括硅锗材料的P型鳍结构。

4.根据权利要求3所述的方法，其中：

在所述鳍结构的所述硅锗材料上方形成一个或多个掩模层；以及

所述硅层外延生长在所述硅锗材料和所述一个或多个掩模层上。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，在所述一个或多个掩模层上生长的所述硅层的第一部分比在所述硅锗材料上生长的所述硅层的第二部分厚。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在已经执行所述第一快速热氮化工艺之后，在所述硅层上形成氧化硅衬垫；以及

在所述氧化硅衬垫上方形成隔离结构。

7.根据权利要求1所述的方法，其中：

形成所述介电衬垫层还包括在所述外延生长的硅层上形成氧化硅衬垫层；以及

形成所述介电隔离结构包括直接在所述氧化硅衬垫层上形成浅沟槽隔离(STI)结构。

8.根据权利要求1所述的方法，其中：

形成所述介电衬垫层还包括在所述外延生长的硅层上形成氮化硅衬垫层；以及

形成所述介电隔离结构包括直接在所述氮化硅衬垫层上形成浅沟槽隔离(STI)结构。

9.一种用于制造半导体结构的方法，其包括：

将硅锗材料图案化成p型鳍结构，其中，所述图案化包括一个或多个蚀刻工艺；

在所述p型鳍结构上生长外延层；

将氮注入至所述外延层中；

在氮已经被注入至所述外延层中之后，在所述外延层上沉积氧化硅衬垫层；

将氮注入至所述氧化硅衬垫层中；以及

在氮已经被注入至所述氧化硅衬垫层中之后，在所述氧化硅衬垫层上方形成浅沟槽隔离(STI)结构。

10.一种半导体器件，包括：

鳍结构，从衬底垂直突出，其中，所述鳍结构包含硅锗(SiGe)；

外延硅层，设置在所述鳍结构的侧壁上，其中，所述外延硅层包含氮；

一个或多个介电衬垫层，设置在所述外延硅层上；以及

介电隔离结构，设置在所述一个或多个介电衬垫层上方。