[发明专利]一种功率放大器偏置电位瞬态补偿电路技术

说明书

本发明公开了一种功率放大器偏置电位瞬态补偿电路技术，包括窄脉冲产生器，所述窄脉冲产生器的输出端设有第一开关晶体管，所述第一开关晶体管的输出端设有缓冲器，所述缓冲器的输出端设有第二开关晶体管，所述第二开关晶体管的输出端设有驱动器，所述第一开关晶体管的输出端设有第一电容器、第二电容器以及第三电容器，且所述第一电容器与第一开关晶体管电性连接。本发明电路结构产生一个随时间线性变化的三角波上冲补偿信号，相比业界通用的指数衰减型补偿信号，在⊿t时段内对EVM性能的补偿效果更优，且补偿信号持续时长参数对工艺、温度、电压等因素波动更加不敏感，⊿t时段内EVM性能的量产稳定性更好。

技术领域

本发明涉及功率放大器技术领域，更具体地说，本发明涉及一种功率放大器偏置电位瞬态补偿电路技术。

背景技术

在时分双工(TDD)模式的通讯系统中，所使用的功率放大器，其输入放大管的偏置电位需要跟随TDD切换信号不停地在建立/关闭两种状态之间进行快速切换以节省整个发射链路功耗，当功率放大器的输入偏置电位由0V快速建立至稳定工作状态下的电位值时，功率放大器的工作点及输出性能并不能立即达到稳定工作值，而是需要经历一定延时⊿t(一般约100us量级)才能达到稳态，因此在⊿t时段内发射系统的动态EVM性能较差；

为了解决此问题，现有技术解决方案一般是，当TDD使能信号来临，芯片内部产生一个时域上冲补偿信号，使得在⊿t时段内功率放大器的输入放大管栅极偏置电位略高于正常工作状态下的稳态值，从而在一定程度上改善⊿t时段内的动态EVM性能，域上冲补偿信号一般是通过电荷泵+RC放电原理实现。

现有技术存在以下不足：

1、RC放电时间决定了上冲补偿持续时长，它随工艺、温度、电压等因素波动较大，因此补偿信号时长指标波动离散度较大，实际量产中中一定数量比率的芯片在TDD切换时刻的动态EVM性能未能被补偿到目标范围内；

2、RC放电曲线呈指数特性，相比线性放电特性而言，对TDD切换时刻的动态EVM性能补偿效果相对较差。

发明内容

为了克服现有技术的上述缺陷，本发明的实施例提供一种功率放大器偏置电位瞬态补偿电路技术，通过能够产生随时间线性变化的三角波上冲补偿信号，在⊿t时段内对EVM性能的补偿效果更优，且补偿信号持续时长参数对工艺、温度、电压等因素波动更加不敏感，在⊿t时段内EVM性能的量产稳定性好，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供一种功率放大器偏置电位瞬态补偿电路技术：包括窄脉冲产生器，所述窄脉冲产生器的输出端设有第一开关晶体管，所述第一开关晶体管的输出端设有缓冲器，所述缓冲器的输出端设有第二开关晶体管，所述第二开关晶体管的输出端设有驱动器。

在一个优选的实施方式中，所述第一开关晶体管与窄脉冲产生器电性连接，所述缓冲器与第一开关晶体管电性连接，所述第二开关晶体管与缓冲器电性连接，所述驱动器与第二开关晶体管电性连接，所述第三电容器与第二电容器的比值等于：N，所述第一电容器与缓冲器并联，当TDD控制信号TDD的上升沿来临时，窄脉冲产生电路产生一个负的窄脉冲信号Pulse，用于控制第一开关晶体管的栅极，第一开关晶体管的漏极与电流源的正端、第一电容器的上极板、缓冲器(子电路B)的输入端以及第三电容器的上极板相连接。

在一个优选的实施方式中，所述第一开关晶体管的输出端设有第一电容器、第二电容器以及第三电容器，且所述第一电容器与第一开关晶体管电性连接，所述窄脉冲产生器的输入端设有TDD控制信号，所述第二开关晶体管的输入端设有VREF基准电压，所述驱动器的输出端设有VREF_COMP输出信号，所述第一开关晶体管与第三电容器之间设有节点V，所述缓冲器与第二开关晶体管之间设有节点V。