[发明专利]一种功率放大器偏置电位瞬态补偿电路技术在审
| 申请号: | 202110925352.8 | 申请日: | 2021-08-12 |
| 公开(公告)号: | CN113595529A | 公开(公告)日: | 2021-11-02 |
| 发明(设计)人: | 王国瑞;张福泉;汪金铭;王圣礼 | 申请(专利权)人: | 上海旻森电子科技有限公司 |
| 主分类号: | H03K3/02 | 分类号: | H03K3/02;H03F1/30;H03F3/21 |
| 代理公司: | 北京众允专利代理有限公司 11803 | 代理人: | 沈小青 |
| 地址: | 200120 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 功率放大器 偏置 电位 瞬态 补偿 电路 技术 | ||
1.一种功率放大器偏置电位瞬态补偿电路技术,其特征在于:包括窄脉冲产生器(1),所述窄脉冲产生器(1)的输出端设有第一开关晶体管(4),所述第一开关晶体管(4)的输出端设有缓冲器(2),所述缓冲器(2)的输出端设有第二开关晶体管(5),所述第二开关晶体管(5)的输出端设有驱动器(3)。
2.根据权利要求1所述的一种功率放大器偏置电位瞬态补偿电路技术,其特征在于:所述第一开关晶体管(4)与窄脉冲产生器(1)电性连接,所述缓冲器(2)与第一开关晶体管(4)电性连接,所述第二开关晶体管(5)与缓冲器(2)电性连接,所述驱动器(3)与第二开关晶体管(5)电性连接。
3.根据权利要求1所述的一种功率放大器偏置电位瞬态补偿电路技术,其特征在于:所述第一开关晶体管(4)的输出端设有第一电容器(6)、第二电容器(7)以及第三电容器(8),且所述第一电容器(6)与第一开关晶体管(4)电性连接。
4.根据权利要求3所述的一种功率放大器偏置电位瞬态补偿电路技术,其特征在于:所述第一电容器(6)、第二电容器(7)以及第三电容器(8)之间串联,所述第三电容器(8)与第二电容器(7)的比值等于1:N,所述第一电容器(6)与缓冲器(2)并联。
5.根据权利要求3所述的一种功率放大器偏置电位瞬态补偿电路技术,其特征在于:所述第一电容器(6)的输入端设有电流源(9),且所述第一电容器(6)与电流源(9)电性连接,所述第一电容器(6)以及电流源(9)的输出端接地。
6.根据权利要求1所述的一种功率放大器偏置电位瞬态补偿电路技术,其特征在于:所述第一开关晶体管(4)的输入端设有VDD电源,且所述第一开关晶体管(4)与VDD电源电性连接,所述窄脉冲产生器(1)的输入端设有TDD控制信号。
7.根据权利要求3所述的一种功率放大器偏置电位瞬态补偿电路技术,其特征在于:所述第二开关晶体管(5)的输入端设有VREF基准电压,所述驱动器(3)的输出端设有VREF_COMP输出信号,所述第一开关晶体管(4)与第三电容器(8)之间设有节点V1,所述缓冲器(2)与第二开关晶体管(5)之间设有节点V2,所述第二开关晶体管(5)与驱动器(3)之间设有节点V3。
8.根据权利要求5所述的一种功率放大器偏置电位瞬态补偿电路技术,其特征在于:所述第一电容器(6)与电流源并联,所述第一电容器(6)与电流源的输出端共同接地。
9.根据权利要求3所述的一种功率放大器偏置电位瞬态补偿电路技术,其特征在于:所述第一开关晶体管(4)的栅端与窄脉冲产生器(1)的输出端连接,所述第一开关晶体管(4)的源端接入电源,所述第一开关晶体管(4)的漏端与缓冲器(2)的输入端以及第三电容器(8)的输入端连接。
10.根据权利要求9所述的一种功率放大器偏置电位瞬态补偿电路技术,其特征在于:所述第二开关晶体管(5)的栅端与缓冲器(2)的输出端电性连接,所述第二开关晶体管(5)的源端接入基准电压,所述第二开关晶体管(5)的漏端与第二电容器(7)的输入端、第三电容器(8)的输出端以及驱动器(3)的输入端连接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海旻森电子科技有限公司,未经上海旻森电子科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110925352.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种周围神经损伤修复系统
- 下一篇:一种缓粘结剂以及制备方法





