[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法

说明书

本发明提供一种基板处理装置以及基板处理方法，其能够抑制基板上发生结露。基板处理装置具备：放置台，被设置成可旋转；多个保持部，设置在放置台的一方侧且保持基板；液体供给部，向基板的放置台侧的相反侧的面供给温度高于凝固点的液体；冷却部，向放置台与基板之间的空间供给冷却气体；移动部，改变放置台与被多个保持部所保持的基板之间的距离；及控制器，对冷却部、移动部进行控制。控制器执行冷却工序及解冻工序，冷却工序中，对移动部进行控制而将距离做成第1距离，解冻工序中，对移动部进行控制而将距离做成比第1距离更长的第2距离。

技术领域

本发明的实施方式涉及一种基板处理装置以及基板处理方法。

背景技术

在压印用模板、光刻用掩模基板、半导体晶片等微细构造体中，在基板的表面上形成有微细的凹凸部。

在此，作为除去附着于基板表面的颗粒等污染物的方法，已周知超声波清洗法、双流体喷射清洗法等。但是，如果对基板施加超声波或者向基板表面喷射流体，则形成于基板表面的微细的凹凸部有可能发生破损。另外，近几年，凹凸部的微细化得到了推进，凹凸部变得更加容易发生破损。

于是，作为除去附着于基板表面的污染物的方法，提出了冻结清洗法。

冻结清洗法中，如下地对基板表面进行清洗。首先，向进行旋转的基板的表面供给纯水，排出被供给的纯水的一部分而在基板的表面上形成水膜。接下来，向形成有水膜的基板供给冷却气体而使水膜发生冻结。当水膜发生冻结而形成冰膜时污染物进入冰膜，由此污染物从基板的表面分离。接下来，向冰膜供给纯水而溶化冰膜，与纯水一起从基板的表面除去污染物。接下来，使纯水及污染物已被除去的基板进行旋转，由此对基板进行干燥。

在此，在对水膜进行冻结时，如果向基板的形成有水膜的侧供给冷却气体，则从水膜的表面侧(水膜的基板侧的相反侧)开始发生冻结。如果从水膜的表面侧开始发生冻结，则难以使附着于基板表面的不纯物从基板的表面分离。因此，提出了向基板的形成有水膜的侧的相反侧的面供给冷却气体的技术(例如，参照专利文献1)。

但是，如果在形成冰膜的工序中向基板的形成有水膜的侧的相反侧的面供给冷却气体，则因冷却气体而放置基板的放置台也被冷却。在形成冰膜的工序后进行的溶化冰膜的工序或干燥基板的工序中，虽然停止供给冷却气体，但是放置台的温度一定时间维持较低的状态。在溶化冰膜的工序或干燥基板的工序中，如果放置台的温度较低，则通过辐射从基板传递到放置台的热量增加而基板有可能被冷却。

另外，也有可能放置台周围的空气被放置台冷却，因被冷却的空气而基板被冷却。

如果基板被冷却，则在基板的表面或背面上发生结露而有可能产生污染或水迹等。

于是，希望开发出能够抑制基板上发生结露的技术。

专利文献

专利文献1：日本国特开2018-026436号公报

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种基板处理装置以及基板处理方法，其能够抑制基板上发生结露。

实施方式所涉及的基板处理装置具备：放置台，被设置成可旋转；多个保持部，设置在所述放置台的一方侧且保持基板；液体供给部，向所述基板的所述放置台侧的相反侧的面供给温度高于凝固点的液体；冷却部，向所述放置台与所述基板之间的空间供给冷却气体；移动部，改变所述放置台与被所述多个保持部所保持的基板之间的距离；及控制器，对所述冷却部、所述移动部进行控制。所述控制器执行：冷却工序，具有至少使所述基板上的所述液体从高于凝固点的温度处于过冷却状态的过冷却工序和从过冷却状态到冻结结束为止之间的冻结工序(固液相)；及所述冷却工序后的解冻工序，所述冷却工序中，对所述移动部进行控制而将所述距离做成第1距离，所述解冻工序中，对所述移动部进行控制而将所述距离做成比所述第1距离更长的第2距离。

根据本发明的实施方式，提供一种基板处理装置以及基板处理方法，其能够抑制基板上发生结露。

附图说明