[发明专利]一种单晶金刚石衬底中的缺陷检测方法

权利要求书

1.一种单晶金刚石衬底中的缺陷检测方法，其特征在于，所述方法包括：

对单晶金刚石衬底的(100)面进行表面研磨、抛光处理；

利用微波等离子体法，对所述单晶金刚石衬底的(100)面进行等离子体刻蚀；

利用检测设备，获取刻蚀后的所述单晶金刚石衬底(100)面上的凹坑形貌，其中，尖底坑为金刚石单晶内部原有的缺陷，平底坑金刚石表面损伤引入的缺陷。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对单晶金刚石衬底的(100)面进行表面研磨、抛光处理，包括：

对单晶金刚石衬底的(100)面依次进行机械研磨、化学机械抛光处理。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，对所述单晶金刚石衬底的(100)面进行机械研磨包括：

对所述单晶金刚石衬底的(100)面采用嵌有金刚石磨粒的铸铁盘作为研磨盘进行机械研磨。

4.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，对所述单晶金刚石衬底的(100)面进行表面抛光处理后，AFM测试10um*10um的情况下表面粗糙度1nm。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述单晶金刚石衬底的(100)面进行等离子体刻蚀，包括：

利用H₂作为等离子体刻蚀气体，反应腔室压力为20-300torr，衬底表面温度为800-1300℃，刻蚀时间0.5～5h。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述单晶金刚石衬底的(100)面进行等离子体刻蚀所采用的等离子体刻蚀气体为H₂、O₂/H₂＝1.5％、O₂/H₂＝2％、O₂/H₂＝3％、O₂/H₂＝4％、O₂/H₂＝5％中的任意一种。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述反应腔室压力为200～300torr，衬底表面温度为≥1000～1300℃，刻蚀时间1～5h。