[发明专利]半导体器件以及形成半导体器件的方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一绝缘层；

第二绝缘层，其布置在所述第一绝缘层之上；

存储器结构，其布置在存储器区域内，并且包括位于所述第一绝缘层内的电阻变化存储器元件；以及

逻辑结构，其布置在逻辑区域内；

其中在所述存储器区域中，所述第一绝缘层接触所述第二绝缘层，并且其中在所述逻辑区域中，所述半导体器件还包括布置在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间的停止层。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层由不同的材料形成。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层由相同的材料形成。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：布置在所述存储器结构之上的保护层，其中所述保护层包括位于所述存储器区域内的第一部分和位于所述逻辑区域内的第二部分。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：位于所述第一绝缘层下方的另外的绝缘层，其中所述另外的绝缘层包括位于所述存储器区域中的第一部分和位于所述逻辑区域中的第二部分，并且其中所述另外的绝缘层的所述第一部分的厚度大于所述另外的绝缘层的所述第二部分的厚度。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述另外的绝缘层和所述第一绝缘层由不同的材料形成。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述另外的绝缘层的介电常数低于所述第一绝缘层的介电常数。

8.根据权利要求5所述的半导体器件，还包括：位于所述另外的绝缘层下方的基底层和至少部分地布置在所述存储器区域中的所述基底层内的第一存储器接触，其中所述存储器结构电接触所述第一存储器接触。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，还包括：布置在所述基底层和所述另外的绝缘层之间的阻挡层。

10.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述存储器结构还包括第一存储器连接器，其布置在所述电阻变化存储器元件下方并且延伸穿过所述另外的绝缘层以电接触所述第一存储器接触。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述存储器结构还包括布置在所述电阻变化存储器元件之上的第二存储器连接器，并且其中所述半导体器件还包括布置在所述第二存储器连接器之上并且电接触所述第二存储器连接器的第二存储器接触。

12.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在存储器区域内形成存储器结构；

在所述存储器结构之上形成第一绝缘层，其中所述存储器结构包括位于所述第一绝缘层内的电阻变化存储器元件；

部分地在所述第一绝缘层之上形成停止层；

在所述第一绝缘层之上形成第二绝缘层；以及

在逻辑区域内形成逻辑结构；

其中在所述存储器区域中，所述第一绝缘层接触所述第二绝缘层，并且其中在所述逻辑区域中，所述停止层布置在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，形成所述第一绝缘层和所述停止层还包括：

在所述存储器结构之上形成中间绝缘层，所述中间绝缘层具有位于所述存储器区域中的第一部分和位于所述逻辑区域中的第二部分；

在所述中间绝缘层之上形成中间停止层，所述中间停止层具有位于所述存储器区域中的第一部分和位于所述逻辑区域中的第二部分；以及

去除所述中间绝缘层的所述第一部分的一部分和所述中间停止层的所述第一部分。