[发明专利]一种气相沉积法制备的二维石墨烯及其制备方法

权利要求书

1.一种气相沉积法制备二维石墨烯的方法，其特征在于，包括以下步骤：

将铜箔清洗，之后用氮气干燥，干燥后放入石英管中；

之后用氩气吹扫所述石英管排尽空气，然后在氢气及氩气气氛中对所述铜箔高温退火；

退火完成后快速冷却至石墨烯生长温度，调节氢气及氩气流速，并通过鼓泡的方式将苯液泵入所述石英管中反应；

反应完成后降温至室温，之后关闭气体，最终生成二维石墨烯。

2.根据权利要求1所述的气相沉积法制备二维石墨烯的方法，其特征在于，所述将铜箔清洗的具体步骤为分别用质量浓度为18％的HCl，去离子水，丙酮，异丙醇分别超声清洗铜箔15～20min。

3.根据权利要求1所述的气相沉积法制备二维石墨烯的方法，其特征在于，所述用氩气吹扫所述石英管排尽空气时氩气吹扫5～6次以完全排尽空气。

4.根据权利要求1所述的气相沉积法制备二维石墨烯的方法，其特征在于，所述铜箔高温退火的温度为1000～1100℃，退火时间为30min；所述氢气及氩气的流速分别为110sccm及390sccm。

5.根据权利要求1所述的气相沉积法制备二维石墨烯的方法，其特征在于，所述石墨烯的生长温度为200～300℃。

6.根据权利要求1所述的气相沉积法制备二维石墨烯的方法，其特征在于，所述调节氢气及氩气流速具体的为将氢气流速调节为20sccm，不流动氩气。

7.根据权利要求1所述的气相沉积法制备的二维石墨烯的方法，其特征在于，所述苯液的浓度为其质量分数大于99％；所述通过鼓泡方式将苯液泵入所述石英管的具体方式为通过5sccm的氩气泵入；所述泵入苯液的时间为5～8min。

8.根据权利要求1所述的气相沉积法制备的二维石墨烯的方法，其特征在于，所述反应完成后降温至室温过程中需控制氢气流速为40sccm，氩气流速为400sccm。

9.根据权利要求1所述的气相沉积法制备的二维石墨烯的方法，其特征在于，所述生成的二维石墨烯通过聚甲基丙烯酸甲酯将其从铜箔转移至所需的基材上。

10.一种气相沉积法制备的二维石墨烯，其特征在于，所述二维石墨烯由权利要求1～9中任一项所述的方法制得。