[发明专利]一种超薄阻燃PI屏蔽膜及其制备方法

权利要求书

1.一种超薄阻燃PI屏蔽膜，其特征在于，包括以下部分组成：叠合层、阻燃层和防静电层；

所述叠合层为聚酰亚胺通过溶液浇筑法制备而成的聚酰亚胺底膜；

所述阻燃层至少包括以下原料组成：聚酰亚胺中间膜和阻燃涂料；

所述防静电层至少包括以下原料组成：聚酰亚胺顶膜和防静电液。

2.根据权利要求1所述的超薄阻燃PI屏蔽膜，其特征在于：所述聚酰亚胺底膜、聚酰亚胺中间膜和聚酰亚胺顶膜的制备方法为：

S1.1、将聚酰亚胺加入至反应釜中，加热400-500℃熔融成液；

S1.2、将液体倒在水平玻璃面上，然后置于烘箱内，在温度为70-80℃，时间为22-24h的条件下挥发；

S1.3、将温度升值180-200℃，并在真空下烘干10-12h；

S1.4、将玻璃板自然冷却，通过去离子水进行浸泡后，玻璃板表面的聚酰亚胺膜自然脱离即可。

3.根据权利要求1所述的超薄阻燃PI屏蔽膜，其特征在于：所述阻燃涂料由阻燃剂和去离子水混合而成，其中阻燃剂的含量为2-5％，所述阻燃剂选自磷酸三丁酯、磷酸三甲苯酯、亚磷酸酯、硼酸盐和三聚氰胺磷酸盐中一种或多种混合。

4.根据权利要求1所述的超薄阻燃PI屏蔽膜，其特征在于：所述防静电液由防静电剂和去离子水混合而成，其中防静电剂的含量为1-5％，所述防静电剂选自磷酸盐型阴离子和磷酸酯衍生物中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的超薄阻燃PI屏蔽膜，其特征在于：所述阻燃涂料中还包括有渗透剂，其中渗透剂含量为0.1-0.5％，所述渗透剂选自烷基酚聚乙烯醚、仲辛醇聚氧乙烯醚和异辛醇聚氧乙烯醚中的一种或多种。

6.一种超薄阻燃PI屏蔽膜的制备方法，其特征在于，包括权利要求1-5中任意一项所述的超薄阻燃PI屏蔽膜，其操作步骤如下：

S2.1、取聚酰亚胺中间膜，放置在加热板上铺平，然后正反面均喷涂阻燃涂料，制得阻燃层；

S2.2、取聚酰亚胺顶膜，加入至防静电液池中，浸泡后烘烤，制得防静电层；

S2.3、将叠合层加入至离子注入机中，完成离子注入后，进行PVD镍打底，然后复合铜电镀和复合镍电镀，最后进行PVD金电镀即可。

S2.4、将抗静电层、阻燃层和叠合层依次由上中下的顺序平铺贴合，然后加热按压，并通过双辊碾压，最终制得抗静电超薄阻燃屏蔽膜；

S2.5、将制备后的抗静电超薄阻燃屏蔽膜冷却后裁剪即可。

7.根据权利要求6所述的超薄阻燃PI屏蔽膜的制备方法，其特征在于：所述S2.1中，在喷涂阻燃涂料时，将加热板升温至110-130℃。

8.根据权利要求6所述的超薄阻燃PI屏蔽膜的制备方法，其特征在于：所述S2.2中，反复浸泡2-3次，单次浸泡时长为1-2h，每次浸泡后晾干再进行下一次浸泡，烘烤温度为130-150℃，烘烤时长为0.5-1h。

9.根据权利要求6所述的超薄阻燃PI屏蔽膜的制备方法，其特征在于：所述S2.3中，电镀镍层的厚度为0.2-0.04um，电镀铜层的厚度为0.1-0.3um，电镀金层的厚度为18-22nm，电镀好的叠合层电阻小于50mΩ。

10.根据权利要求6所述的超薄阻燃PI屏蔽膜的制备方法，其特征在于：所述S2.4中，加热温度为500-600℃，按压4-5次后，升温至700-750℃，经双辊碾压0.5-1.5h。