[发明专利]一种高致密度薄层电子陶瓷材料的制备方法

权利要求书

1.一种高致密度薄层电子陶瓷材料的制备方法，其特征在于，具体如下：

S1：将硝酸铋、硝酸钠、硝酸锂、硝酸钛、硝酸钡、硝酸钙加入去离子水中，搅拌混合20-50min后，将乙二醇、活性炭加入，继续搅拌5-10min后，滴加还原剂使体系pH至1-2；

S2：将反应液一次升温至80-85℃，保温搅拌至无溶剂，停止搅拌，二次升温至120-130℃，保温1-3h后，氮气保护下球磨1-3h，得到粉体；

S3：将粉体与玻璃粉混合均匀得到预混料，将预混料转移至模具中，100-150MPa的压力下点燃，使其发生自蔓延反应得到坯体，坯体自然冷却至室温后取出，升温至1100-1200℃烧结2-3h后降温至700-800℃保温退火1-2h，炉冷至室温即可获得所述电子陶瓷材料，由以下化学结构式表示：

xBi_0.5(Na_aLi_0.5-a)TiO₃-(1-x)(Ba_bCa_1-b)TiO₃

其中，x、a、b表示摩尔百分比，x为0.80-0.98，a为0.40-0.45，b为0.80-0.95；

S1中所述还原剂由柠檬酸、谷氨酸、水组成；

S3中所述玻璃粉为CBS玻璃粉或BSB玻璃粉；

柠檬酸与谷氨酸的质量比为4-10：1。

2.如权利要求1所述的高致密度薄层电子陶瓷材料的制备方法，其特征在于，S1中活性炭用量为硝酸铋、硝酸钠、硝酸锂、硝酸钛、硝酸钡、硝酸钙总质量的3-5％。

3.如权利要求1所述的高致密度薄层电子陶瓷材料的制备方法，其特征在于，S2中一次升温速度为1-2℃/min，二次升温速度为0.1-0.5℃/min。

4.如权利要求1所述的高致密度薄层电子陶瓷材料的制备方法，其特征在于，S3中玻璃粉用量为粉体质量的0.5-1％。

5.如权利要求1所述的高致密度薄层电子陶瓷材料的制备方法，其特征在于，S3中点燃方式为等离子体点燃、激光点燃、微波点燃、电火花点燃中的任意一种。

6.如权利要求1所述的高致密度薄层电子陶瓷材料的制备方法，其特征在于，S3中升温速度为5-10℃/min，降温速度为1-2℃/min。

7.如权利要求1所述的高致密度薄层电子陶瓷材料的制备方法，其特征在于，x为0.94，a为0.45，b为0.90。