[发明专利]晶圆加工方法

说明书

本申请公开了一种晶圆加工方法，涉及半导体制造领域。该晶圆加工方法包括将立式炉管机台的装载区环境设置为含氧环境；将晶圆传输至立式炉管机台；通过立式炉管机台在晶圆上形成氮化硅薄膜；将形成有氮化硅薄膜的晶圆传输至装载区；解决了目前氮化硅薄膜亲水性差，容易导致BARC涂布不均匀的问题；达到了在不增加工艺成本的情况下，提高氮化硅薄膜表面的亲水性，避免光刻时在衬底上形成气泡而导致的硅损失的效果。

技术领域

本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种晶圆加工方法。

背景技术

立式炉管机台是半导体制造生产线中的重要工艺设备之一，可以用于大规模集成电路、分立器件、电力电子器件、光电器件和光导纤维等的扩散、氧化、退火、化学气相沉积、合金等工序。通过晶舟将每批(lot)送入立式炉管机台的反应腔室内进行相应的工艺。

在一些芯片的制作工艺中，通过立式炉管机台沉积氮化硅薄膜，在氮化硅薄膜形成后进行光刻。在光刻过程，需要在氮化硅薄膜表面涂布底部抗反射涂层(Bottom Anti-Reflection Coating，BARC)。然而，BARC对于膜层表面亲水性比较敏感，氮化硅薄膜的疏水性较强、亲水性较差，在涂布BARC时容易出现涂覆不均匀的问题。

发明内容

为了解决相关技术中的问题，本申请提供了一种晶圆加工方法。该技术方案如下：

一方面，本申请实施例提供了一种晶圆加工方法，该方法包括：

将立式炉管机台的装载区环境设置为含氧环境；

将晶圆传输至所述立式炉管机台；

通过所述立式炉管机台在所述晶圆上形成氮化硅薄膜；

将形成有氮化硅薄膜的晶圆传输至所述装载区。

可选的，所述将所述形成有氮化硅薄膜的晶圆传输至所述装载区，包括：

控制所述形成有氮化硅薄膜的晶圆，按预定速度从所述立式炉管机台的反应腔室移动至所述装载区。

可选的，所述预定速度小于200mm/min。

可选的，所述将立式炉管机台的装载区环境设置为含氧气环境，包括：

向所述立式炉管机台的装载区内通入氧气或含氧气体。

可选的，所述装载区环境的氧气浓度为100000-250000ppm。

可选的，所述晶圆放置在晶舟上。

本申请技术方案，至少包括如下优点：

通过将立式炉管机台的装载区环境设置为含氧环境；将晶圆传输至立式炉管机台；通过立式炉管机台在晶圆上形成氮化硅薄膜；将形成有氮化硅薄膜的晶圆传输至装载区；解决了目前氮化硅薄膜亲水性差，容易导致BARC涂布不均匀的问题；达到了在不增加工艺成本的情况下，提高氮化硅薄膜表面的亲水性，避免光刻时在衬底上形成气泡而导致的硅损失的效果。

附图说明

为了更清楚地说明本申请具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请实施例提供的一种晶圆加工方法的流程图。

具体实施方式

下面将结合附图，对本申请中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在不做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。