[发明专利]晶圆加工方法

权利要求书

1.一种晶圆加工方法，其特征在于，所述方法包括：

将立式炉管机台的装载区环境设置为含氧环境；

将晶圆传输至所述立式炉管机台；

通过所述立式炉管机台在所述晶圆上形成氮化硅薄膜；

将形成有氮化硅薄膜的晶圆传输至所述装载区。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将所述形成有氮化硅薄膜的晶圆传输至所述装载区，包括：

控制所述形成有氮化硅薄膜的晶圆，按预定速度从所述立式炉管机台的反应腔室移动至所述装载区。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述预定速度小于200mm/min。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述将立式炉管机台的装载区环境设置为含氧气环境，包括：

向所述立式炉管机台的装载区内通入氧气或含氧气体。

5.根据权利要求1或4所述的方法，其特征在于，所述装载区环境的氧气浓度为100000-250000ppm。

6.根据权利要求1至5任一所述的方法，其特征在于，所述晶圆放置在晶舟上。