[发明专利]一种引脚重布局的无源器件及其制作方法

说明书

本发明公开了一种引脚重布局的无源器件的制作方法，包括以下步骤：S1在衬底片上制作体通孔；S2在衬底片上下表面分别制作位于下表面的第一金属层和位于上表面的第二金属层，并在第一金属层上旋涂第一介质层；S3在第二金属层上旋涂第二介质层,在第二介质层上电镀第三金属层，并在第三金属层上旋涂第三介质层；S4在第三介质层上刻蚀出第一通孔；S5制作第四金属层，并在第四金属层上旋涂第四介质层,在第四介质层上刻蚀出第二通孔；S6制作第五金属层，并在第五金属层上旋涂第五介质层；S7在第一介质层上刻蚀出焊盘开窗。本发明通过高孔径比的体通孔和较厚的表面布线层，将集成无源器件表面分布不规则的焊盘重新分配，且焊盘可与基板直接。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种引脚重布局的无源器件及其制作方法。

背景技术

当前移动设备和物联网设备市场正经历着史无前例的高速增长。尽管数字电路在摩尔定律的驱动下继续增加着集成度,但射频电路却无法按相同比例减小尺寸。因此射频电路尤其是无源器件部分的进一步集成,已经成为系统级封装技术的关键。为了满足不断增长的需求、减小尺寸和成本、增加功能，玻璃通孔(Through Glass Via，TGV)技术已成为射频前端设计的一种可行性技术。

现有的集成无源器件工艺，是采用半导体后道工艺实现无源器件电阻、电容、电感的技术，其优点是可设计出高精度的电阻、电容及低工艺误差的布线；但受限于集成电路工艺，包括电阻、电容、电感等器件只能集中在几十微米的薄层内，因此不利于焊盘的放置。而TGV工艺采用低介电常数材料玻璃做基板材料，可实现高孔径比的基板通孔和较厚的表面布线层。但如何将两者结合起来还是一个问题。

发明内容

本发明旨在提供一种引脚重布局的无源器件及其制作方法，以克服现有技术中存在的不足。

为解决上述技术问题，本发明的技术方案是：

一种引脚重布局的无源器件的制作方法，包括以下步骤：

S1在衬底片上制作体通孔，并在体通孔孔壁以及衬底片的上下表面进行物理气相沉积；

S2在衬底片上下表面分别制作位于下表面的第一金属层和位于上表面的第二金属层，并在第一金属层上旋涂第一介质层；

S3在第二金属层上旋涂第二介质层,在第二介质层上电镀第三金属层，并在第三金属层上旋涂第三介质层；

S4在第三介质层上刻蚀出第一通孔；

S5在衬底片上表面重复步骤S2，制作第四金属层，使得第四金属层和第三金属层通过第一通孔连接，并在第四金属层上旋涂第四介质层,在第四介质层上刻蚀出第二通孔；

S6在衬底片上表面重复步骤S2，制作第五金属层，使得第五金属层和第四金属层通过第二通孔连接，并在第五金属层上旋涂第五介质层；

S7在第一介质层上刻蚀出焊盘开窗。

本发明的一个较佳实施例中，还包括：

在步骤S3之前，在第一介质层下面焊接一载体；

在步骤S7之前，移除载体。

本发明的一个较佳实施例中，衬底片的材质为玻璃。

本发明的一个较佳实施例中，第一介质层至第五介质层的材质为PI或BCB。

本发明的一个较佳实施例中，步骤S1中在体通孔孔壁以及衬底片的上下表面进行物理气相沉积，包括：

在体通孔孔壁镀上金属铜。

本发明的一个较佳实施例中，步骤S1中在衬底片上制作体通孔，具体为：

采用TGV技术在衬底片上制作体通孔。

另一技术方案是：