[发明专利]一种引脚重布局的无源器件及其制作方法在审
| 申请号: | 202110904043.2 | 申请日: | 2021-08-06 |
| 公开(公告)号: | CN113628978A | 公开(公告)日: | 2021-11-09 |
| 发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 上海芯波电子科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/498 |
| 代理公司: | 上海乐泓专利代理事务所(普通合伙) 31385 | 代理人: | 王瑞 |
| 地址: | 201210 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 引脚 布局 无源 器件 及其 制作方法 | ||
1.一种引脚重布局的无源器件的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1在衬底片上制作体通孔,并在体通孔孔壁以及衬底片的上下表面进行物理气相沉积;
S2在衬底片上下表面分别制作位于下表面的第一金属层和位于上表面的第二金属层,并在第一金属层上旋涂第一介质层;
S3在第二金属层上旋涂第二介质层,在第二介质层上电镀第三金属层,并在第三金属层上旋涂第三介质层;
S4在第三介质层上刻蚀出第一通孔;
S5在衬底片上表面重复步骤S2,制作第四金属层,使得第四金属层和第三金属层通过第一通孔连接,并在第四金属层上旋涂第四介质层,在第四介质层上刻蚀出第二通孔;
S6在衬底片上表面重复步骤S2,制作第五金属层,使得第五金属层和第四金属层通过第二通孔连接,并在第五金属层上旋涂第五介质层;
S7在第一介质层上刻蚀出焊盘开窗。
2.根据权利要求1所述的一种引脚重布局的无源器件的制作方法,其特征在于,还包括:
在步骤S3之前,在第一介质层下面焊接一载体;
在步骤S7之前,移除载体。
3.根据权利要求1所述的一种引脚重布局的无源器件的制作方法,其特征在于,衬底片的材质为玻璃。
4.根据权利要求1所述的一种引脚重布局的无源器件的制作方法,其特征在于,第一介质层至第五介质层的材质为PI或BCB。
5.根据权利要求1所述的一种引脚重布局的无源器件的制作方法,其特征在于,步骤S1中在体通孔孔壁以及衬底片的上下表面进行物理气相沉积,包括:
在体通孔孔壁镀上金属铜。
6.根据权利要求1所述的一种引脚重布局的无源器件的制作方法,其特征在于,步骤S1中在衬底片上制作体通孔,具体为:
采用TGV技术在衬底片上制作体通孔。
7.一种根据权利要求1-6任一所述的方法制造的无源器件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





