[发明专利]静电保护器件及静电保护电路

说明书

本发明提供了一种静电保护器件及静电保护电路，该静电保护器件包括：第一导电类型的衬底以及位于第一导电类型的衬底内的第二导电类型的深阱区；位于第二导电类型的深阱区表面的第一导电类型的掺杂区域及第二导电类型的重掺杂区；第一导电类型的掺杂区域包括第一导电类型的重掺杂区及以下至少一项：第一导电类型的轻掺杂区、第一导电类型的阱区；第一导电类型的重掺杂区位于第一导电类型的轻掺杂区内或者位于第一导电类型的阱区表面；第二导电类型的重掺杂区与第一导电类型的重掺杂区间隔设置。本发明可以降低静电保护器件的电容，提高集成电路响应速度，且维持了原来的静电保护能力。

技术领域

本发明涉及半导体领域，具体而言，涉及一种静电保护器件及静电保护电路。

背景技术

随着半导体的制程越来越先进，半导体器件越来越小，结深(junction depth)越来越浅，氧化层越来越薄，半导体集成电路的可靠性面临的挑战也越大，尤其是静电保护变得愈发重要。如图1所示的现有静电保护电路的原理图，采用两个二极管将电流分流且防止将过多的电压施加到受保护电路。然而，二极管电容大小会影响静电保护电路的充放电速度，进而影响静电保护电路的响应速度，如果电容大，响应速度慢，静电保护电路没有及时开启，主电路中的器件可能会被大电流击穿、损坏。

发明内容

本发明可以解决现有静电保护电路中二极管的电容较大，影响静电保护电路的响应速度的问题。

本发明实施例提供了一种接电源端的静电保护器件，包括：第一导电类型的衬底以及位于所述第一导电类型的衬底内的第二导电类型的深阱区；位于所述第二导电类型的深阱区表面的第一导电类型的掺杂区域及第二导电类型的重掺杂区；所述第一导电类型的掺杂区域包括第一导电类型的重掺杂区及以下至少一项：第一导电类型的轻掺杂区、第一导电类型的阱区；所述第一导电类型的重掺杂区位于所述第一导电类型的轻掺杂区内或者位于所述第一导电类型的阱区表面；所述第二导电类型的重掺杂区与所述第一导电类型的重掺杂区间隔设置。

可选的，所述第一导电类型的轻掺杂区掺杂浓度的范围为10¹⁹-10²⁰atom/cm³，所述第一导电类型的阱区掺杂浓度的范围为10¹⁷-10¹⁸atom/cm³，所述第一导电类型的轻掺杂区对应结深的范围为10-20nm，所述第一导电类型的阱区对应结深的范围为1.5-2um。

可选的，所述第一导电类型的掺杂区域包括第一导电类型的重掺杂区及第一导电类型的轻掺杂区，所述第一导电类型的轻掺杂区包围所述第一导电类型的重掺杂区；所述器件还包括位于所述第二导电类型的深阱区和所述第一导电类型的衬底表面的所述第二导电类型的第一阱区及第二阱区；所述第一阱区与所述第一导电类型的轻掺杂区相邻且处于远离所述第二导电类型的重掺杂区的一端，所述第二阱区与所述第二导电类型的重掺杂区相邻且处于远离所述第一导电类型的重掺杂区的一端。

可选的，所述第一导电类型的掺杂区域包括第一导电类型的重掺杂区及第一导电类型的阱区，所述第一导电类型的阱区位于第一导电类型的重掺杂区底部；所述器件还包括位于所述第二导电类型的深阱区及所述第一导电类型的衬底表面的第二导电类型的第一阱区及第二阱区；所述第一阱区与所述第二阱区分别位于所述第一导电类型的阱区两侧，所述第二导电类型的重掺杂区位于所述第二阱区表面。

可选的，所述第一导电类型的掺杂区域包括第一导电类型的重掺杂区、第一导电类型的轻掺杂区及第一导电类型的阱区；所述第一导电类型的阱区位于所述第二导电类型的深阱区表面，所述第一导电类型的轻掺杂区位于所述第一导电类型的阱区表面，所述第一导电类型的轻掺杂区包围所述第一导电类型的重掺杂区；所述器件还包括位于所述第二导电类型的深阱区及所述第一导电类型的衬底表面的所述第二导电类型的第一阱区及第二阱区；所述第一阱区与所述第二阱区分别位于所述第一导电类型的阱区两侧，所述第二导电类型的重掺杂区位于所述第二阱区表面。