[发明专利]半导体电路和半导体电路的制造方法在审

专利信息
申请号: 202110901870.6 申请日: 2021-08-06
公开(公告)号: CN115425071A 公开(公告)日: 2022-12-02
发明(设计)人: 王敏;左安超;谢荣才 申请(专利权)人: 广东汇芯半导体有限公司
主分类号: H01L29/423 分类号: H01L29/423;H01L29/739;H01L25/07;H01L21/50
代理公司: 深圳市辰为知识产权代理事务所(普通合伙) 44719 代理人: 陈建昌
地址: 528000 广东省佛山市*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 半导体 电路 制造 方法
【说明书】:

发明涉及一种半导体电路和半导体电路的制造方法,包括散热基板、设置在在散热基板上的电路布线层,电路布线层设置有多个连接焊盘,以及多个电子元件,配置于电路布线层的焊盘上,多个电子元件包括功率器件和驱动芯片,其中功率器件包括IGBT,IGBT的表面设置有两个或者两个以上的栅极键合区,还包括密封层,密封层至少包裹设置电路元件的散热基板的一面,引脚的一端从密封层露出。通过在IGBT的表面设置两个或者两个以上的栅极键合区,针对复杂的半导体电路,其内部如存在多个IGBT并联情况时,可以减少电路层的走线,而且可以减少栅极控制走线的干扰,增强MIPS的工作可靠性。

技术领域

本发明涉及一种半导体电路和半导体电路的制造方法,属于半导体电路应用技术领域。

背景技术

半导体电路是一种将电力电子和集成电路技术结合的功率驱动类产品。半导体电路外表一般由注塑形成的树脂材料进行封装形成密封层,将内部的电路板、电子元件进行密封,引脚从密封层的一侧或者两侧伸出。做为功率器件的半导体电路内部都会集成有开关管如IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管),目前一般的IGBT其正面G极即栅极焊线区只有一个,在用于比较复杂的半导体电路的模块系统时,不方便电路及内引线连接,造成电路过长、环绕、占用更多的基板面积并容易形成辐射和干扰。

发明内容

本发明需要解决的技术问题是解决现有的半导体电路内部的IGBT栅极焊线区为单个,导致应用于较复杂的半导体电路时,其内部引线复杂引起占用基本面积大以及带来干扰的问题。

具体地,本发明公开一种半导体电路,包括:

散热基板;

电路布线层,电路布线层设置在散热基板上,电路布线层设置有多个连接焊盘;

多个电子元件,配置于电路布线层的焊盘上,多个电子元件包括功率器件和驱动芯片;

其中功率器件包括IGBT,IGBT的表面设置有两个或者两个以上的栅极键合区;

多个引脚,多个引脚设置在散热基板的至少一侧;

密封层,密封层至少包裹设置电路元件的散热基板的一面,引脚的一端从密封层露出。

可选地,IGBT的表面还设置有栅极键合区和发射极键合区,IGBT的底面设置有集电极键合区,栅极键合区为两个,相对设置于发射极键合区的两侧。

可选地,栅极键合区设置在发射极键合区的对角的两侧或者两侧边的中点。

可选地,IGBT内部包括多个IGBT原胞单元,每个IGBT原胞单元的表面设置有栅极金属和发射极金属,每个IGBT原胞单元的底面设置有集电极金属,每个栅极金属、发射极金属和集电极金属分别与栅极键合区、发射极键合区和集电极键合区通过金属导体电连接。

可选地,每个IGBT原胞单元的栅极金属有两个,设置于发射极金属的两侧,金属导体同时连接两个栅极金属并分别从每个栅极金属侧伸出。

可选地,相邻的两个IGBT原胞单元之间设置绝缘层,绝缘层上设置过孔,以供连接栅极金属、发射极金属和集电极金属的金属导体通过。

可选地,IGBT为多个,且至少两个IGBT并联连接,并联的IGBT中的一个栅极键合区相互连接。

可选地,绝缘层由树脂材料制成,树脂材料内部填充氧化铝和碳化铝的填料。

可选地,电路布线层和配置于电路布线层上的电子元件组成的电路包括驱动电路和逆变电路,其中逆变电路包括上下桥臂的6个开关管,驱动电路包括驱动芯片,驱动芯片设置有过温保护开关电路、欠压保护电路、过流保护电路、过压保护电路中的至少一者。

本发明还提出一种如上述的半导体电路的制造方法,制造方法包括以下步骤:

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东汇芯半导体有限公司,未经广东汇芯半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110901870.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top