[发明专利]半导体电路和半导体电路的制造方法

权利要求书

1.一种半导体电路，其特征在于，包括：

散热基板；

电路布线层，所述电路布线层设置在所述散热基板上，所述电路布线层设置有多个连接焊盘；

多个电子元件，配置于所述电路布线层的焊盘上，所述多个电子元件包括功率器件和驱动芯片；

其中功率器件包括IGBT，所述IGBT的表面设置有两个或者两个以上的栅极键合区；

多个引脚，所述多个引脚设置在所述散热基板的至少一侧；

密封层，所述密封层至少包裹设置所述电路元件的散热基板的一面，所述引脚的一端从所述密封层露出。

2.根据权利要求1所述的半导体电路，其特征在于，所述IGBT的表面还设置有栅极键合区和发射极键合区，所述IGBT的底面设置有集电极键合区，所述栅极键合区为两个，相对设置于所述发射极键合区的两侧。

3.根据权利要求2所述的半导体电路，其特征在于，所述栅极键合区设置在所述发射极键合区的对角的两侧或者两侧边的中点。

4.根据权利要求2所述的半导体电路，其特征在于，所述的IGBT内部包括多个IGBT原胞单元，每个所述IGBT原胞单元的表面设置有栅极金属和发射极金属，每个所述IGBT原胞单元的底面设置有集电极金属，每个所述栅极金属、发射极金属和集电极金属分别与所述栅极键合区、发射极键合区和集电极键合区通过金属导体电连接。

5.根据权利要求4所述的半导体电路，其特征在于，每个所述IGBT原胞单元的栅极金属有两个，设置于所述发射极金属的两侧，所述金属导体同时连接所述两个栅极金属并分别从每个所述栅极金属侧伸出。

6.根据权利要求4所述的半导体电路，其特征在于，相邻的两个所述IGBT原胞单元之间设置绝缘层，所述绝缘层上设置过孔，以供连接所述栅极金属、发射极金属和集电极金属的金属导体通过。

7.根据权利要求1所述的半导体电路，其特征在于，所述的IGBT为多个，且至少两个IGBT并联连接，所述并联的IGBT中的一个栅极键合区相互连接。

8.根据权利要求1所述的半导体电路，其特征在于，所述绝缘层由树脂材料制成，所述树脂材料内部填充氧化铝和碳化铝的填料。

9.根据权利要求1所述的半导体电路，其特征在于，所述电路布线层和配置于所述电路布线层上的电子元件组成的电路包括驱动电路和逆变电路，其中所述逆变电路包括上下桥臂的6个开关管，所述驱动电路包括所述驱动芯片，所述驱动芯片设置有过温保护开关电路、欠压保护电路、过流保护电路、过压保护电路中的至少一者。

10.一种如权利要求1至9任意一项所述的半导体电路的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括以下步骤：

制作电子元件，在IGBT芯片正面形成两个或者两个以上的栅极键合区；

配置散热基板，在所述散热基板的表面形成电路布线层；

在电路布线层配置电子元件；

配置引脚；

将所述电子元件、布线层、引脚之间通过键合线电连接；

对设置有所述电路元件和所述引脚的所述散热基板通过封装模具进行注塑以形成密封层，其中所述密封层包覆所述散热基板的至少设置所述电子元件的一面；

对所述引脚进行切除、成型以形成所述MIPS，且对成型后的所述MIPS进行测试。