[发明专利]一种微焦点射线源用分辨率测试卡及其制备方法

权利要求书

1.一种微焦点射线源用分辨率测试卡制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

对基体进行预处理，使表面洁净；

在洁净的基体上生长一层厚度大于1μm的重金属层；

在重金属层上甩涂一层光刻胶，并烘烤固形；

设计分辨率测试卡图案，并转换成激光直写设备可识别的代码；

将基体放置于曝光平台，使除所需图案以外区域的光刻胶曝光；

将曝光后的基体置于显影液中浸泡，待分辨率测试卡图像显现后，清洗并烘干；

将显影后的基体放入真空离子束刻蚀设备中，利用离子束轰击基体，去除掉没有光刻胶保护区域的薄膜，结束后将基体置于丙酮中超声清洗洁净；

在刻蚀后的基体表面生长一层保护层，制备完成分辨率测试卡芯片；

将分辨率测试卡芯片固定在中心开孔的铝板上，并在其表面做一层保护膜。

2.根据权利要求1所述的一种微焦点射线源用分辨率测试卡制备方法，其特征在于，所述分辨率测试卡图案包括横向条纹和纵向条纹，横向条纹3条，纵向条纹3条，所述横向条纹和所述纵向条纹的刻蚀宽度相同，每条所述横向条纹和每条所述纵向条纹的刻蚀长度均相同，每条横向条纹之间均匀平行分布，间隔距离与横向条纹的刻蚀宽度相同；每条纵向条纹之间均匀平行分布，间隔距离与纵向条纹刻蚀宽度相同，横向条纹整体和纵向条纹整体在所述预处理后的基体上呈现垂直分布，具体成“十”字型。

3.根据权利要求1所述的一种微焦点射线源用分辨率测试卡制备方法，其特征在于，所述基体厚度为0.2mm。

4.一种微焦点射线源用分辨率测试卡，其特征在于，所述分辨率测试卡包括保护层、氧化硅层、吸收层和基体，所述基体上加工有分辨率测试卡图案和标尺，所述基体采用硅基体，所述分辨率测试卡图案包括包括横向条纹和纵向条纹，横向条纹3条，纵向条纹3条，所述横向条纹和所述纵向条纹的刻蚀宽度相同，每条所述横向条纹和每条所述纵向条纹的刻蚀长度均相同，每条横向条纹之间均匀平行分布，间隔距离与横向条纹的刻蚀宽度相同；每条纵向条纹之间均匀平行分布，间隔距离与纵向条纹刻蚀宽度相同，横向条纹整体和纵向条纹整体在所述预处理后的基体上呈现垂直分布，具体成“十”字型。

5.根据权利要求4所述的一种微焦点射线源用分辨率测试卡，其特征在于，还包括铝板，用以承载分辨率测试卡芯片。

6.根据权利要求5所述的一种微焦点射线源用分辨率测试卡，其特征在于，所述硅基体厚度为0.2mm。

7.根据权利要求6所述的一种微焦点射线源用分辨率测试卡，其特征在于，所述保护层材料为稳定氧化物。

8.根据权利要求7所述的一种微焦点射线源用分辨率测试卡，其特征在于，所述吸收层材料为金或钨。