[发明专利]一种Micro OLED显示器结构及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202110896996.9 申请日: 2021-08-05
公开(公告)号: CN113594397A 公开(公告)日: 2021-11-02
发明(设计)人: 李成志;曹君 申请(专利权)人: 安徽熙泰智能科技有限公司
主分类号: H01L51/56 分类号: H01L51/56;H01L51/52;H01L27/32
代理公司: 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 代理人: 马荣
地址: 241000 安徽省芜湖市芜湖长江*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 micro oled 显示器 结构 及其 制备 方法
【说明书】:

发明提供一种应用于Micro OLED显示器技术领域的Micro OLED显示器结构,本发明还涉及一种Micro OLED显示器结构的制备方法,所述的改善粘附力的Micro OLED显示器结构制备方法的步骤为:封装层(D)制备时,制备材料选用AlO或TiO或ATO或SiN或SiO中的一种或几种的组合,其中AlO、TiO、ATO由ALD设备制备,SiN、SiO、SiON由PECVD设备制备;利用光刻技术,在封装层(D)表面刻蚀出封装层凹槽或封装层凸起微结构(E);制备OC层及其余彩胶层,点胶贴合玻璃盖板(F),本发明所述的改善粘附力的Micro OLED显示器结构及制备方法,增加封装层与OC层之间的接触面积,在不添加粘附层的前提下,提高粘附力,减少因封装层与OC层分离造成的产品失效。

技术领域

本发明属于Micro OLED显示器技术领域,更具体地说,是涉及一种Micro OLED显示器结构,本发明还涉及一种Micro OLED显示器结构的制备方法。

背景技术

当前,Micro OLED显示器(Organic Light Emitting Display)被称为下一代显示技术的黑马,已经广泛应用于机戴头盔、枪瞄、夜视仪等军用市场,并且随着AR/VR以及自动驾驶等新技术的应用,Micro OLED微显示器将迎来爆发式的增长。市场上现有的终端产品多为头戴式或穿戴式设备。在彩色屏体制作中,由于彩膜工艺要使用多次涂布曝光显影功能,出于薄膜封装(TFE)进行保护,普遍采用在其(TFE)表面镀一层OC。但该显示器易出现OC1与TFE分离,造成封装失效,使用寿命降低。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是:针对现有技术的不足,提供一种步骤简单,在进行Micro OLED显示器结构制备时,有效增加封装层与OC层之间的接触面积,在不添加粘附层的前提下,有效提高粘附力,减少因封装层与OC层分离造成的产品失效,降低成本,提升产品性能和使用寿命的改善粘附力的Micro OLED显示器结构制备方法。

要解决以上所述的技术问题,本发明采取的技术方案为:

本发明为一种改善粘附力的Micro OLED显示器结构制备方法,所述的改善粘附力的Micro OLED显示器结构制备方法的步骤为:

S1.封装层D制备时,制备材料选用AlO或TiO或ATO或SiN或SiO中的一种或几种的组合,其中AlO、TiO、ATO由ALD原子层沉积设备制备,AlO、TiO、ATO厚度选择20um~50nm,SiN、SiO、SiON由PECVD等离子层沉积设备制备,SiN、SiO、SiON厚度选择0.5um~2um;

S2.利用光刻技术,在封装层D表面刻蚀出封装层凹槽或封装层凸起微结构E;

S3.制备OC层及其余彩胶层,点胶贴合玻璃盖板F,并进行组装,完成显示器制作。

所述的改善粘附力的Micro OLED显示器结构制备方法还包括在硅基底上制作CMOS电路A的步骤。

所述的改善粘附力的Micro OLED显示器结构制备方法还包括在COMS电路A上制备Anode层B、OLED层C、PDL层D的步骤,在硅基底上制作CMOS电路A后,在COMS电路A上制备Anode层B、OLED层C、PDL层D。

所述的AlO、TiO、ATO由ALD原子层沉积设备制备时,厚度优选40nm;所述的SiN、SiO、SiON由PECVD等离子层沉积设备制备时,厚度优选1um。

所述的改善粘附力的Micro OLED显示器结构制备方法还包括在OC1层F与OC2层G之间制备彩胶层(J)。

本发明还涉及一种结构简单,在进行Micro OLED显示器结构制备时,有效增加封装层与OC层之间的接触面积,在不添加粘附层的前提下,有效提高粘附力,减少因封装层与OC层分离造成的产品失效,降低成本,提升产品性能和使用寿命的改善粘附力的MicroOLED显示器结构。

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