[发明专利]一种Micro OLED显示器结构及其制备方法

权利要求书

1.一种改善粘附力的Micro OLED显示器结构制备方法，其特征在于：所述的改善粘附力的Micro OLED显示器结构制备方法的步骤为：

S1.封装层(D)制备时，制备材料选用AlO或TiO或ATO或SiN或SiO中的一种或几种的组合，其中AlO、TiO、ATO由ALD设备制备，AlO、TiO、ATO厚度选择20um～50nm，SiN、SiO、SiON由PECVD设备制备，SiN、SiO、SiON厚度选择0.5um～2um；

S2.利用光刻技术，在封装层(D)表面刻蚀出封装层凹槽或封装层凸起微结构(E)；

S3.制备OC层及其余彩胶层，点胶贴合玻璃盖板(F)，并进行组装，完成显示器制作。

2.根据权利要求1所述的改善粘附力的Micro OLED显示器结构制备方法，其特征在于：所述的改善粘附力的Micro OLED显示器结构制备方法还包括在硅基底上制作CMOS电路(A)的步骤。

3.根据权利要求1或2所述的改善粘附力的Micro OLED显示器结构制备方法，其特征在于：所述的改善粘附力的Micro OLED显示器结构制备方法还包括在COMS电路(A)上制备Anode层(B)、OLED层(C)、PDL层(D)的步骤，在硅基底上制作CMOS电路(A)后，在COMS电路(A)上制备Anode层(B)、OLED层(C)、PDL层(D)。

4.根据权利要求1或2所述的改善粘附力的Micro OLED显示器结构制备方法，其特征在于：所述的AlO、TiO、ATO由ALD(原子层沉积)设备制备时，厚度优选40nm；所述的SiN、SiO、SiON由PECVD(等离子层沉积)设备制备时，厚度优选1um。

5.根据权利要求1或2所述的改善粘附力的Micro OLED显示器结构制备方法，其特征在于：所述的改善粘附力的Micro OLED显示器结构制备方法还包括在OC1层(F)与OC2层(G)之间制备彩胶层(J)。

6.一种改善粘附力的Micro OLED显示器结构，其特征在于：所述的Micro OLED显示器结构包括硅基底、CMOS电路(A)、Anode层(B)、OLED层(C)、PDL层(D)、封装层(E)、OC1层(F)、OC2层(G)、玻璃盖板(H)，封装层(E)表面刻蚀出封装层凹槽或封装层凸起的微结构(I)，OC1层(F)表面设置OC1层凸起或OC1层凹槽。

7.根据权利要求6所述的改善粘附力的Micro OLED显示器结构，其特征在于：所述的硅基底上制作CMOS电路(A)，CMOS电路(A)一侧设置Anode层(B)，Anode层(B)上设置OLED层(C)，OLED层(C)一侧设置封装层(E)。

8.根据权利要求6或7所述的改善粘附力的Micro OLED显示器结构，其特征在于：所述的封装层(E)表面刻蚀出的封装层凹槽的微结构(I)与OC1层(F)表面的OC1层凸起配合。

9.根据权利要求6或7所述的改善粘附力的Micro OLED显示器结构，其特征在于：所述的封装层(E)表面刻蚀出的封装层凸起的微结构(I)与OC1层(F)表面的OC1层凹槽配合。

10.根据权利要求6所述的改善粘附力的Micro OLED显示器结构，其特征在于：所述的OC1层(F)与OC2层(G)连接，OC2层(G)另一侧设置玻璃盖板(H)；OC1层(F)与OC2层(G)之间还设置彩胶层(J)。