[发明专利]一种选择性发射极的制作方法

说明书

一种选择性发射极的制作方法，属于光伏领域。选择性发射极的制作方法包括：对硅片进行扩散、局部重掺杂以及热氧化。对硅片进行扩散的步骤，使选择性发射区的掺杂元素的掺杂量低于预设值，并且能够通过热氧化而弥补。该制作方法可以减少工艺过程中的掺杂源的消耗。

技术领域

本申请涉及光伏领域，具体而言，涉及一种选择性发射极的制作方法。

背景技术

钝化发射极和背面电池(Passivated Emitter and Rear Cell，简称PERC)叠加选择性发射极(Selective Emitter，简称SE)和碱抛工艺具有明显的性能和成本优势，并因此取代了酸抛工艺。这极大地推动了P型太阳能单晶硅片的应用。

在基于P型晶硅的激光掺杂选择性发射极电池中，掺杂主要为了在电池的发射结的N面的栅线区域形成局部重掺杂。局部重掺杂主要利用通过扩散在硅片表面形成的磷硅玻璃(PSG)层中的磷。通过选择性地，将特定区域的PSG中的P掺杂实现在该局部的重掺杂，而其他区域则是相对性的轻掺杂。

在上述的工艺中，扩散工艺对后续的SE形成工艺造成重要的影响。并且，随着太阳电池降低成本和提高效率的需求，如何优化上述的扩散工艺就成为了一个重要的课题。

发明内容

本申请提出了一种选择性发射极的制作方法。该方法能够减少工艺过程中的掺杂源的消耗，从而降低制作成本。

本申请是这样实现的：

在第一方面，本申请的示例提供了一种选择性发射极的制作方法。制作方法包括：对硅片依次进行扩散、局部重掺杂以获得具有选择性发射区的选择性掺杂片。对硅片进行扩散的步骤，使选择性发射区中的掺杂元素的掺杂量低于预设值。并且方法还包括：对选择性掺杂片热氧化，从而以扩散的过程中提供的掺杂元素作为源，使选择性发射区的掺杂元素的掺杂量补足至预设值。

结合第一方面，在本申请的第一方面的第一种可能的实施方式中，对选择性掺杂片热氧化的方法包括：将选择性掺杂片预热，然后在含氧气的气氛的加热环境中进行氧化。

结合第一方面的第一种实施方式，在本申请的第一方面的第二种可能的实施方中，对选择性掺杂片预热的过程中温度是逐步升高的。

结合第一方面，在本申请的第一方面的第三种可能的实施方式中，对硅片进行扩散的方法包括对硅片依次进行前氧化、沉积以及后氧化，其中，前氧化的操作在氧气氛围下实施，沉积的操作在掺杂元素和氧气气氛下实施，后氧化的操作在氧气气氛下实施。

结合第一方面的第三种实施方式，在本申请的第一方面的第四种可能的实施方中，在前氧化的操作的过程中，硅片是静止的；和/或，在后氧化的操作过程中，硅片是静止的。

结合第一方面的第三种或第四种实施方式，在本申请的第一方面的第五种可能的实施方中，在沉积过程包括：硅片在静止状态下实施的预沉积的操作和随后使硅片在运功中进行的后沉积的操作。

结合第一方面的第五种实施方式，在本申请的第一方面的第六种可能的实施方中，后沉积的操作中，硅片的运动方式包括在第一温度下推进硅片，以及随后在第二温度下推进硅片，第一温度高于第二温度。

结合第一方面的第六种实施方式，在本申请的第一方面的第七种可能的实施方中，预沉积操作过程中的温度小于后沉积操作过程中的第一温度。

结合第一方面，在本申请的第一方面的第八种可能的实施方式中，硅片为P型硅，掺杂元素为磷且通过三氯氧磷提供，选择性发射区为N型掺杂。

结合第一方面，在本申请的第一方面的第九种可能的实施方式中，对硅片进行扩散的操作在扩散炉中进行，对选择性掺杂片热氧化的操作在扩散炉中进行。