[发明专利]一种选择性发射极的制作方法

权利要求书

1.一种选择性发射极的制作方法，所述制作方法包括：对硅片依次进行扩散、局部重掺杂以获得具有选择性发射区的选择性掺杂片，其特征在于，对所述硅片进行所述扩散的步骤，使所述选择性发射区中的所述掺杂元素的掺杂量低于预设值，并且所述方法还包括：

对所述选择性掺杂片进行热氧化，从而以所述扩散的过程中提供的掺杂元素作为源，使所述选择性发射区的掺杂元素的掺杂量补足至所述预设值。

2.根据权利要求1所述的选择性发射极的制作方法，其特征在于，对所述选择性掺杂片进行热氧化的方法包括：将所述选择性掺杂片预热，然后在含氧气的气氛的加热环境中进行氧化。

3.根据权利要求2所述的选择性发射极的制作方法，其特征在于，对所述选择性掺杂片预热的过程中的温度是逐步升高的。

4.根据权利要求1所述的选择性发射极的制作方法，其特征在于，对所述硅片进行扩散的方法包括对所述硅片依次进行前氧化、沉积以及后氧化，其中，所述前氧化的操作在氧气气氛下实施，所述沉积的操作在掺杂元素和氧气气氛下实施，所述后氧化的操作在氧气气氛下实施。

5.根据权利要求4所述的选择性发射极的制作方法，其特征在于，在所述前氧化的操作的过程中，所述硅片是静止的；和/或，在所述后氧化的操作过程中，所述硅片是静止的。

6.根据权利要求4或5所述的选择性发射极的制作方法，其特征在于，在所述沉积的过程包括：所述硅片在静止状态下实施的预沉积的操作和随后使硅片在运功中进行的后沉积的操作。

7.根据权利要求6所述的选择性发射极的制作方法，其特征在于，所述后沉积的操作中，所述硅片的运动方式包括在第一温度下推进所述硅片，以及随后在第二温度下推进所述硅片，且所述第一温度高于所述第二温度。

8.根据权利要求7所述的选择性发射极的制作方法，其特征在于，所述预沉积的操作过程中的温度小于所述后沉积的操作过程中的所述第一温度。

9.根据权利要求1所述的选择性发射极的制作方法，其特征在于，所述硅片为P型硅，所述掺杂元素为磷且通过三氯氧磷提供，所述选择性发射区为N型掺杂。

10.根据权利要求1所述的选择性发射极的制作方法，其特征在于，对所述硅片进行扩散的操作在扩散炉中进行，对所述选择性掺杂片热氧化的操作在扩散炉中进行。