[发明专利]一种LED及其制备方法

说明书

本发明提供了一种LED及其制备方法，以镂空区和边缘镂空区处填充的光刻胶层为保护结构，以在外延片上蒸镀金属反射层和保护层，而后去除光刻胶层。本发明提供的技术方案，仅需要一次光刻工艺即可得到最终的金属反射层和保护层，使得LED制备方法的流程简单。

技术领域

本发明涉及半导体器件技术领域，更为具体地说，涉及一种LED及其制备方法。

背景技术

倒装LED(light-emitting diode，发光二极管)需要从芯片背面(蓝宝石面)出光，所以在LED芯片正面需要镀一层反射层，其中一种方法是在正面蒸镀一层Ag(即自然界中反射率最高的金属)，由于Ag非常活泼，具有很强的电迁移性，因此在制备具有Ag反射层结构的倒装LED芯片时，在蒸镀完Ag反射层时，往往还会在蒸镀一层保护金属层完全包裹住Ag层，作为Ag的保护层，防止Ag迁移。但是，现有的LED制备过程较为复杂。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种LED及其制备方法，有效解决了现有技术存在的技术问题，使得LED制备方法的流程简单。

为实现上述目的，本发明提供的技术方案如下：

一种LED的制备方法，包括：

提供外延片，所述外延片包括在第一方向上依次叠加的衬底、第一类型半导体层、多量子阱层和第二类型半导体层；

采用光刻工艺对所述第二类型半导体层和所述多量子阱层的叠层进行刻蚀，形成多个裸露所述第一类型半导体层的镂空区；

采用光刻工艺对所述第一类型半导体层、所述多量子阱层和所述第二类型半导体层的叠层进行刻蚀，形成环所述外延片侧壁且裸露所述衬底的边缘镂空区；

在所述镂空区和所述边缘镂空区处填充光刻胶层；

在所述第二类型半导体层背离所述衬底一侧表面蒸镀金属反射层，所述金属反射层对应所述光刻胶层处具有开孔；在所述第一方向上，所述金属反射层与所述光刻胶层无交叠；

在所述金属反射层背离所述衬底一侧蒸镀保护层，所述保护层覆盖所述金属反射层背离所述衬底一侧表面和在所述开孔处的侧壁；

去除所述光刻胶层。

可选的，所述保护层包括覆盖所述金属反射层背离所述衬底一侧表面的第一部分，和覆盖所述金属反射层的侧壁的第二部分，所述第一部分的厚度大于所述第二部分的厚度。

可选的，所述光刻胶层背离所述衬底一侧表面，高于所述第二类型半导体层背离所述衬底一侧表面。

可选的，所述金属反射层为Ag金属反射层。

可选的，所述保护层包括与所述金属反射层接触的Ni层。

可选的，所述保护层还包括位于所述Ni层背离所述衬底一侧、且沿所述第一方向叠加设置的至少一个保护子叠层；

所述保护子叠层包括沿所述第一方向依次叠加设置的Ti层和Pt层。

可选的，去除所述光刻胶层后，还包括：

在所述保护层背离所述衬底一侧形成第一绝缘层；

采用光刻工艺对所述第一绝缘层进行刻蚀，形成裸露所述开孔的第一开口和裸露所述保护层的第二开口，所述第一绝缘层在所述第一开口处覆盖所述第一开口的侧壁；

采用金属剥离工艺在所述第一绝缘层背离所述衬底一侧形成电极层，所述电极层通过所述第一开口与所述第一类型半导体层接触，且所述电极层包括裸露所述第二开口的电极开口；

在所述电极层背离所述衬底一侧形成第二绝缘层；