[发明专利]一种LED及其制备方法

权利要求书

1.一种LED的制备方法，其特征在于，包括：

提供外延片，所述外延片包括在第一方向上依次叠加的衬底、第一类型半导体层、多量子阱层和第二类型半导体层；

采用光刻工艺对所述第二类型半导体层和所述多量子阱层的叠层进行刻蚀，形成多个裸露所述第一类型半导体层的镂空区；

采用光刻工艺对所述第一类型半导体层、所述多量子阱层和所述第二类型半导体层的叠层进行刻蚀，形成环所述外延片侧壁且裸露所述衬底的边缘镂空区；

在所述镂空区和所述边缘镂空区处填充光刻胶层；

在所述第二类型半导体层背离所述衬底一侧表面蒸镀金属反射层，所述金属反射层对应所述光刻胶层处具有开孔；在所述第一方向上，所述金属反射层与所述光刻胶层无交叠；

在所述金属反射层背离所述衬底一侧蒸镀保护层，所述保护层覆盖所述金属反射层背离所述衬底一侧表面和在所述开孔处的侧壁；

去除所述光刻胶层。

2.根据权利要求1所述的LED的制备方法，其特征在于，所述保护层包括覆盖所述金属反射层背离所述衬底一侧表面的第一部分，和覆盖所述金属反射层的侧壁的第二部分，所述第一部分的厚度大于所述第二部分的厚度。

3.根据权利要求1所述的LED的制备方法，其特征在于，所述光刻胶层背离所述衬底一侧表面，高于所述第二类型半导体层背离所述衬底一侧表面。

4.根据权利要求1所述的LED的制备方法，其特征在于，所述金属反射层为Ag金属反射层。

5.根据权利要求1所述的LED的制备方法，其特征在于，所述保护层包括与所述金属反射层接触的Ni层。

6.根据权利要求5所述的LED的制备方法，其特征在于，所述保护层还包括位于所述Ni层背离所述衬底一侧、且沿所述第一方向叠加设置的至少一个保护子叠层；

所述保护子叠层包括沿所述第一方向依次叠加设置的Ti层和Pt层。

7.根据权利要求1所述的LED的制备方法，其特征在于，去除所述光刻胶层后，还包括：

在所述保护层背离所述衬底一侧形成第一绝缘层；

采用光刻工艺对所述第一绝缘层进行刻蚀，形成裸露所述开孔的第一开口和裸露所述保护层的第二开口，所述第一绝缘层在所述第一开口处覆盖所述第一开口的侧壁；

采用金属剥离工艺在所述第一绝缘层背离所述衬底一侧形成电极层，所述电极层通过所述第一开口与所述第一类型半导体层接触，且所述电极层包括裸露所述第二开口的电极开口；

在所述电极层背离所述衬底一侧形成第二绝缘层；

采用光刻工艺对所述第二绝缘层进行刻蚀，形成裸露所述电极层的第三开口和裸露所述电极开口的第四开口，所述第二绝缘层在所述第四开口处覆盖所述第四开口的侧壁；

采用金属剥离工艺在所述第二绝缘层背离所述衬底一侧形成第一电极和第二电极，所述第一电极通过所述第三开口与所述电极层接触，所述第二电极通过所述第四开口与所述保护层接触。

8.根据权利要求7所述的LED的制备方法，其特征在于，所述第一绝缘层的厚度范围为3.1-6μm，包括端点值；

所述第二绝缘层的厚度范围为3.1-6μm，包括端点值。

9.一种LED，其特征在于，包括：

外延片，所述外延片包括在第一方向上依次叠加的衬底、第一类型半导体层、多量子阱层和第二类型半导体层；其中，所述第二类型半导体层和所述多量子阱层的叠层，形成有多个裸露所述第一类型半导体层的镂空区；及，所述第一类型半导体层、所述多量子阱层和所述第二类型半导体层的叠层，形成有环所述外延片侧壁且裸露所述衬底的边缘镂空区；

位于所述第二类型半导体层背离所述衬底一侧表面蒸镀金属反射层，所述金属反射层对应所述镂空区和所述边缘镂空区处具有开孔；在所述第一方向上，所述金属反射层与所述镂空区和所述边缘镂空区无交叠；

位于所述金属反射层背离所述衬底一侧蒸镀保护层，所述保护层覆盖所述金属反射层背离所述衬底一侧表面和在所述开孔处的侧壁。

10.根据权利要求9所述的LED，其特征在于，所述保护层包括覆盖所述金属反射层背离所述衬底一侧表面的第一部分，和覆盖所述金属反射层的侧壁的第二部分，所述第一部分的厚度大于所述第二部分的厚度。