[发明专利]一种静电保护器件有效
| 申请号： | 202110892121.1 | 申请日： | 2021-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN113345887B | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | 朱伟东;赵泊然 | 申请（专利权）人： | 江苏应能微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良;陈丽丽 |
| 地址： | 213000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 静电 保护 器件 | ||
1.一种静电保护器件，其特征在于，包括：第一导电类型衬底和设置在第一导电类型衬底上的第二导电类型外延层，所述第二导电类型外延层内设置第二导电类型阱区和第一导电类型阱区，所述第二导电类型阱区与所述第一导电类型阱区相切设置，所述第二导电类型阱区内设置有第一N+区和第一P+区，所述第一N+区和所述第一P+区相切设置，所述第一导电类型阱区内设置有第二N+区和第二P+区，所述第二N+区和所述第二P+区相切设置，所述第二导电类型阱区与所述第一导电类型阱区的相切位置处设置第三N+区，在所述第三N+区与所述第二N+区之间设置齐纳注入ZP区，所述第三N+区与所述齐纳注入ZP区接触，所述齐纳注入ZP区与所述第二N+区之间设置肖特基注入P型区，所述肖特基注入P型区分别与所述齐纳注入ZP区以及所述第二N+区间隔设置；
其中，所述第一N+区、第一P+区和所述肖特基注入P型区三者相连后作为所述静电保护器件的阳极，所述第二N+区与所述第二P+区连接后作为所述静电保护器件的阴极。
2.根据权利要求1所述的静电保护器件，其特征在于，所述第一N+区与所述第一P+区连接后作为所述静电保护器件的阳极，所述第二N+区与所述第二P+区连接后作为所述静电保护器件的阴极，所述肖特基注入P型区与所述静电保护器件的阳极之间设置一个肖特基二极管，所述肖特基二极管的阳极连接所述肖特基注入P型区，所述肖特基二极管的阴极连接所述静电保护器件的阳极。
3.根据权利要求1所述的静电保护器件，其特征在于，所述第一N+区与所述第一P+区连接后作为所述静电保护器件的阳极，所述第二N+区与所述第二P+区连接后作为所述静电保护器件的阴极，所述肖特基注入P型区与所述静电保护器件的阳极之间设置多个串联的肖特基二极管，串联后的所述肖特基二极管的阳极连接所述肖特基注入P型区，串联后的所述肖特基二极管的阴极连接所述静电保护器件的阳极。
4.根据权利要求1至3中任意一项所述的静电保护器件，其特征在于，所述第三N+区与所述齐纳注入ZP区相切设置。
5.根据权利要求1至3中任意一项所述的静电保护器件，其特征在于，所述第三N+区与所述齐纳注入ZP区相交设置。
6.根据权利要求1所述的静电保护器件，其特征在于，所述第一导电类型衬底包括P型衬底，所述第二导电类型外延层包括N型外延层。
7.根据权利要求1所述的静电保护器件，其特征在于，所述第一导电类型阱区包括P型阱区，所述第二导电类型阱区包括N型阱区。
8.一种静电保护器件，其特征在于，包括：第一导电类型衬底和设置在第一导电类型衬底上的第二导电类型外延层，所述第二导电类型外延层内设置第二导电类型阱区和第一导电类型阱区，所述第二导电类型阱区与所述第一导电类型阱区相切设置，所述第二导电类型阱区内设置有第一N+区和第一P+区，所述第一N+区和所述第一P+区相切设置，所述第一导电类型阱区内设置有第二N+区和第二P+区，所述第二N+区和所述第二P+区相切设置，所述第二导电类型阱区与所述第一导电类型阱区的相切位置处设置第三N+区，在所述第三N+区与所述第二N+区之间设置齐纳注入ZP区，所述第三N+区与所述齐纳注入ZP区接触，所述齐纳注入ZP区与所述第二N+区之间设置肖特基注入P型区，所述肖特基注入P型区分别与所述齐纳注入ZP区以及所述第二N+区间隔设置；
其中，所述第一P+区与所述第三N+区之间设置肖特基注入N型区，所述肖特基注入N型区分别与所述第一P+区和所述第三N+区间隔设置。
9.根据权利要求8所述的静电保护器件，其特征在于，所述肖特基注入N型区与所述肖特基注入P型区连接后形成两个集成的肖特基二极管，所述第一N+区与所述第一P+区连接后作为所述静电保护器件的阳极，所述第二N+区与所述第二P+区连接后作为所述静电保护器件的阴极。
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H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
