[发明专利]表面处理组合物、表面处理组合物的制造方法、表面处理方法和半导体基板的制造方法

说明书

本发明涉及表面处理组合物、表面处理组合物的制造方法、表面处理方法和半导体基板的制造方法。[课题]提供可以充分去除存在于研磨完的研磨对象物的表面的有机物残渣的方案。[解决方案]一种表面处理组合物，其为用于对研磨完的研磨对象物的表面进行处理的表面处理组合物，其含有：具有下述式(1)所示的结构单元的聚合物、螯合剂和水，下述式(1)中，R¹为碳数1～5的烃基，R²为氢原子或碳数1～3的烃基，前述螯合剂具有膦酸基和羧酸基中的至少一者。

技术领域

本发明涉及表面处理组合物、表面处理组合物的制造方法、表面处理方法和半导体基板的制造方法。

背景技术

近年来，随着半导体基板表面的多层布线化，制造半导体装置(器件)时，利用了所谓化学机械研磨(Chemical Mechanical Polishing；CMP)技术，其对半导体基板进行研磨以实现平坦化。CMP为如下方法：用包含二氧化硅、氧化铝、氧化铈等磨粒、防腐蚀剂、表面活性剂等的研磨用组合物(浆料)，使半导体基板等研磨对象物(被研磨物)的表面平坦化。研磨对象物(被研磨物)为硅、多晶硅、氧化硅膜(氧化硅)、硅氮化物、金属等所形成的布线、插头等。

在CMP工序后的半导体基板表面大量残留有杂质(缺陷)。作为杂质，包含：源自CMP中使用的研磨用组合物的磨粒、金属、防腐蚀剂、表面活性剂等有机物、对作为研磨对象物的含硅材料、金属布线、插头等进行研磨而产生的含硅材料、金属、进而由各种垫片等产生的垫片屑等有机物等。

半导体基板表面如果被这些杂质污染，则对半导体的电特性造成不良影响，有半导体装置的可靠性降低的可能性。因此，期望在CMP工序后，导入清洗工序，从半导体基板表面去除这些杂质。

作为这样的清洗工序中使用的清洗液(清洗用组合物)，例如有专利文献1中公开的物质。专利文献1中公开了一种化学机械研磨用的浆料组合物，其含有水、研磨磨粒和1种以上的包含聚乙烯醇结构单元的水溶性聚合物。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2012-74678号公报

发明内容

发明要解决的问题

清洗研磨完的研磨对象物时，期望进一步减少缺陷。

此处，本发明人等对研磨完的研磨对象物的种类与缺陷的种类的关系进行了研究。其结果发现：研磨用组合物中所含的氧化铈颗粒、有机物残渣容易残留在包含氧化硅、氮化硅或多晶硅的研磨完的研磨对象物(例如研磨过的半导体基板)的表面，这些残留物可能成为半导体装置的破坏的原因。

本发明是鉴于上述课题而作出的，其目的在于，提供：可以充分去除存在于研磨完的研磨对象物的表面的氧化铈颗粒、有机物残渣的方案。

用于解决问题的方案

本发明人等鉴于上述课题深入推进了研究。其结果发现：通过使用含有下述式(1)所示的结构单元的聚合物、螯合剂和水的表面处理组合物，从而可以充分去除存在于包含氧化硅或多晶硅的研磨完的研磨对象物的表面的有机物残渣，完成了本发明。

上述式(1)中，R¹为碳数1～5的烃基，R²为氢原子或碳数1～3的烃基。螯合剂具有膦酸基和羧酸基中的至少一者。

发明的效果

根据本发明，提供可以充分去除存在于研磨完的研磨对象物的表面的氧化铈颗粒、有机物残渣的方案。

具体实施方式

以下，对本发明进行说明。需要说明的是，本发明不仅限定于以下的实施方式。